[發明專利]具有完全硅化的鰭片的鰭片FET結構

有效

• 申請號: 201280006806.0
• 申請日: 2012-01-23
• 公開（公告）號: CN103348481A
• 公開（公告）日: 2013-10-09
• 發明（設計）人: A·布賴恩特;卜惠明;郭德超;W·E·亨施;葉俊呈
• 申請（專利權）人: 國際商業機器公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L21/336
• 代理公司: 北京市中咨律師事務所 11247
• 代理人: 于靜;張亞非

1.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成多個鰭片，所述鰭片包括半導體材料；

在所述多個鰭片中的每一個之上并與其接觸地形成柵極電極；

在所述柵極電極和所述多個鰭片之上沉積絕緣體層；

在所述絕緣體層中蝕刻溝槽開口，所述溝槽開口暴露所述多個鰭片并且在所述多個鰭片之間延伸；

通過所述溝槽開口硅化所述多個鰭片；以及

用與所述硅化的鰭片接觸的金屬填充所述溝槽開口以形成連接所述多個鰭片的局部互連。

2.權利要求1的方法，其中所述硅化是完全硅化。

3.權利要求1的方法，其中所述硅化的步驟包括：在所述鰭片上沉積金屬層，然后加熱所述鰭片和金屬以使得形成金屬硅化物。

4.權利要求1的方法，其中所述鰭片包括硅。

5.權利要求1的方法，其中所述柵極電極包括間隔物。

6.權利要求1的方法，其中所述絕緣體層是應力氮化物層。

7.權利要求1的方法，其中填充所述溝槽開口的所述金屬是銅。

8.權利要求1的方法，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅半導體襯底。

9.一種制造半導體器件的方法，包括如下步驟：

在半導體襯底上形成多個鰭片，所述鰭片包括半導體材料并且具有第一和第二側表面；

在所述多個鰭片中的每一個之上并與其接觸地形成柵極電極；

在所述柵極電極上形成間隔物；

在所述第一和第二側表面上形成間隔物，所述間隔物僅覆蓋所述第一和第二側表面的與所述半導體襯底鄰近的部分；

在所述柵極電極和所述多個鰭片上沉積絕緣體層；

在所述絕緣體層中蝕刻溝槽開口，所述溝槽開口暴露所述多個鰭片并且在所述多個鰭片之間延伸；

通過所述溝槽開口硅化所述多個鰭片，所述硅化向下延伸到所述第一和第二側表面上的所述間隔物；

用與所述硅化的鰭片接觸的金屬填充所述溝槽開口以形成連接所述多個鰭片的局部互連。

10.權利要求9的方法，其中所述硅化是完全硅化。

11.權利要求9的方法，其中所述硅化的步驟包括：在所述鰭片上沉積金屬層，然后加熱所述鰭片和金屬以使得形成金屬硅化物。

12.權利要求9的方法，其中所述鰭片包括硅。

13.權利要求9的方法，其中所述絕緣體層是應力氮化物層。

14.權利要求9的方法，其中填充所述溝槽開口的所述金屬是銅。

15.權利要求9的方法，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅半導體襯底。

16.一種半導體器件，包括：

具有多個鰭片的半導體襯底，所述鰭片包括半導體材料；

在所述多個鰭片中的每一個之上并與其接觸的柵極電極；

在所述柵極電極和所述多個鰭片之上的絕緣體層；

在所述絕緣體層中的溝槽開口，所述溝槽開口暴露所述多個鰭片并且在所述多個鰭片之間延伸，所述多個鰭片通過所述溝槽開口被硅化；以及

所述溝槽開口被與所述硅化的鰭片接觸的金屬填充以形成連接所述多個鰭片的局部互連。

17.權利要求16的半導體器件，其中所述多個鰭片通過所述溝槽開口被完全硅化。

18.權利要求16的半導體器件，其中所述絕緣體層是應力氮化物層。

19.權利要求16的半導體器件，其中填充在所述溝槽開口中的所述金屬是銅。

20.權利要求16的半導體器件，其中所述半導體襯底是絕緣體上硅半導體襯底。