[發(fā)明專利]具有變暗的多層導體跡線的圖案化基底

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201280005909.5
• 申請日: 2012-02-01
• 公開（公告）號: CN103329643A
• 公開（公告）日: 2013-09-25
• 發(fā)明（設計）人: 馬修·H·弗雷;斯蒂芬·P·梅基
• 申請（專利權）人: 3M創(chuàng)新有限公司
• 主分類號: H05K9/00
• 分類號: H05K9/00;B32B3/12
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識產權代理有限公司 11112
• 代理人: 丁業(yè)平;金小芳

1.一種制品，包含：

具有相對的第一表面和第二表面的基底；以及

設置在所述基底的所述第一表面上的導體微圖案，所述導體微圖案包含界定多個單元的多條跡線，

其中所述導體微圖案具有大于80%的開放區(qū)域比率以及均勻的跡線取向分布；并且所述跡線中的每一條各自具有0.5微米至10微米的跡線寬度，并且

其中所述導體微圖案是三層材料，所述三層材料依次包含半反射性金屬、透明層以及反射層。注：本人期望此項權利要求不受限于所述三層結構相對于所述基底的取向。本人所提及的段落可隱含特定的取向（例如，該取向可以與從屬權利要求12到14不一致）。

2.根據權利要求1所述的制品，其中所述半反射性材料選自：鈦、鉻、鋁、鎳、銅、金、鉬、鉑、銠、銀、鎢、鈷、鐵、鍺、鉿、鈀、錸、釩、硅、硒、鉭、釔、鋯，以及它們的組合和合金。

3.根據權利要求1所述的制品，其中所述透明的材料選自：丙烯酸類聚合物、SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、TiO₂、HfO₂、Sc₂O₃、La₂O₃、ThO₂、Y₂O₃、CeO₂、MgO、Ta₂O₅以及它們的組合。

4.根據權利要求1所述的制品，其中所述反射層選自：金、銀、鈀、鉑、鋁、銅、鉬、鎳、錫、鎢，合金以及它們的組合。

5.根據權利要求1所述的制品，其中所述導體微圖案跡線中的每一條各自具有小于1厘米的曲率半徑。

6.根據權利要求1所述的制品，其中所述微圖案的所述均勻的跡線取向分布具有的每兩度箱的測量頻率的標準偏差小于三。

7.根據權利要求1所述的制品，其中所述導體微圖案具有非重復的單元幾何形狀。

8.根據權利要求1所述的制品，其中所述導體微圖案所具有的單元并非位于位點的重復陣列上。

9.根據權利要求1所述的制品，其中跡線在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于20%的鏡面反射率。

10.根據權利要求1所述的制品，其中所述跡線在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于10%的鏡面反射率。

11.根據權利要求1所述的制品，其中所述跡線在垂直入射角度上并且在朝向所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于50%的鏡面反射率。

12.根據權利要求1所述的制品，其中所述跡線在垂直入射角度上并且在遠離所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于20%的鏡面反射率。

13.根據權利要求1所述的制品，其中所述跡線在垂直入射角度上并且在遠離所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于10%的鏡面反射率。

14.根據權利要求1所述的制品，其中所述跡線在垂直入射角度上并且在遠離所述基底的所述第一表面取向的方向上具有小于50%的鏡面反射率。

15.一種制備導體微圖案的方法，包含如下步驟：

提供具有相對的第一表面和第二表面的基底；

在所述基底的所述第一表面上依次沉積包含半反射性材料、透明材料和不透明的反射性金屬的導體層；

使用彈性壓模在所述導體層上印刷自組裝單層微圖案，所述自組裝單層微圖案由界定多個開放區(qū)域單元的多條跡線形成，其中所述導體微圖案具有大于80%的開放區(qū)域比率以及均勻的跡線取向分布，并且所述跡線中的每一條各自具有0.5微米至10微米的寬度；

對未被所述自組裝單層微圖案覆蓋的導體進行蝕刻。