[實(shí)用新型]產(chǎn)生振蕩信號(hào)的電路

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220753757.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-31
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203135815U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 林鴻武
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 意法半導(dǎo)體研發(fā)(深圳)有限公司
• 主分類號(hào): H03K3/02
• 分類號(hào): H03K3/02;G05F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務(wù)所 11256
• 代理人: 鄭立柱

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電路，尤其涉及振蕩電路。

背景技術(shù)

目前存在數(shù)種類型的振蕩電路。圖1至圖4分別示出了其中的一種。

但是，這些振蕩電路都有它們的缺點(diǎn)，尤其是當(dāng)振蕩頻率被設(shè)置在20MHz附加時(shí)這些缺點(diǎn)尤其顯著。圖1中的RC振蕩電路的頻率受限于比較器的速度。圖2中的RC振蕩電路會(huì)受施密特觸發(fā)器的門限變化的影響，并且由于RC處于振蕩回路中，頻率的調(diào)整(trimming)比較困難。圖3中的振蕩電路易于調(diào)整，但是仍然會(huì)受到開(kāi)關(guān)門限不確定性的影響。圖4中的RC振蕩電路難于調(diào)整，并且電容的非線性也會(huì)影響它的性能。

更重要地，由于工作狀況，例如溫度、供電電壓的不同，以及制造晶體管時(shí)所用的半導(dǎo)體工藝變化，晶體管無(wú)法在所有情況下都具有相同的特性，也就是說(shuō)晶體管無(wú)法穩(wěn)定地工作，因此帶有晶體管的振蕩電路不能實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的高頻振蕩。

因此，需要實(shí)現(xiàn)一種穩(wěn)定的振蕩電路，而不論變化的工作狀況和變化的半導(dǎo)體工藝。同時(shí)，也需要實(shí)現(xiàn)一種容易調(diào)整頻率的振蕩電路。

實(shí)用新型內(nèi)容

一方面，本實(shí)用新型提供了一種電路，包括：

-振蕩器模塊(10)，該模塊包括：

-第一MOS晶體管(MN7)，具有柵極，耦接至參考電壓節(jié)點(diǎn)的源極，以及耦接至該振蕩器模塊的第一觸發(fā)節(jié)點(diǎn)的漏極，用于通過(guò)被交替地關(guān)斷和導(dǎo)通來(lái)產(chǎn)生該振動(dòng)器模塊的振蕩輸出信號(hào)；

-第一電容(C1)，耦接在第一MOS晶體管的柵極和源極之間，并被配置為相應(yīng)于該振蕩信號(hào)而交替地被充電或放電，以將該第一MOS晶體管導(dǎo)通或關(guān)斷；

該電路還包括：

-電流源(20)，被配置為控制流經(jīng)該第一MOS晶體管的電流，以使得當(dāng)該第一MOS晶體管被導(dǎo)通時(shí)，該第一MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于一第一值。

在該方面中，電流源被配置為向第一MOS晶體管提供合適的電流，該u允許第一MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于第一值。因此，不論工作狀態(tài)如何變化，第一觸發(fā)節(jié)點(diǎn)的電壓可以被控制，因此該電路能夠提供穩(wěn)定的振蕩輸出。

根據(jù)一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式，該電流源包括：

第二MOS晶體管(MN4)，具有與第一MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)；

電壓控制模塊，被配置為：在該第二MOS晶體管被導(dǎo)通時(shí)，控制第二MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于該第一值；

電流鏡，具有一個(gè)電阻，該電阻耦接在第二MOS晶體管的柵極和源極之間，其中，該電流鏡泄放與流過(guò)該電阻的電流相同的電流通過(guò)第一MOS晶體管。

在該實(shí)施方式中，由于第二MOS晶體管具有與第一MOS晶體管相同的結(jié)構(gòu)，因此這兩個(gè)晶體管的工作狀況和半導(dǎo)體工藝也是相同的。因此，通過(guò)控制第二MOS晶體管，并將與流過(guò)第二MOS晶體管的電流相同的電流作為偏置電流來(lái)流過(guò)第一MOS晶體管，該第一MOS晶體管也應(yīng)處于與第二MOS晶體管相同的狀態(tài)中，而不論工作狀況以及半導(dǎo)體工業(yè)的變化。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該電流鏡泄放與流過(guò)該電阻的電流相同的電流來(lái)充電該第一電容。

在該實(shí)施方式中，振蕩器模塊的頻率取決于該電阻的阻抗以及該第一電容的容量。因此，通過(guò)調(diào)節(jié)該電阻的阻抗，該振蕩器模塊能夠很容易地被平衡(trimmed)，并且不會(huì)受到寄生參數(shù)的影響。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該電壓控制模塊包括：

第三MOS晶體管(MN3)，具有耦接到第二MOS晶體管的漏極的源極；

第四MOS晶體管(MN1)，具有耦接到該第三MOS晶體管的柵極的源極；

第五MOS晶體管(MN6)，具有耦接到第四MOS晶體管的柵極和第三MOS晶體管的漏極的柵極，以及耦接到該第二MOS晶體管的柵極的源極；和

第六MOS晶體管(MN2)，具有都耦接到第四MOS晶體管的源極的漏極和柵極；

第七M(jìn)OS晶體管(MN5)，具有耦接至第六MOS晶體管的源極的漏極和耦接至第二MOS晶體管的源極的源極；

其中，該第二、第三、第四、第五、第六和第七M(jìn)OS晶體管具有相同的結(jié)構(gòu)，且，

其中，該電流鏡泄放相同的電流通過(guò)該第三MOS晶體管(MN3)、第四MOS晶體管(MN1)和第五MOS晶體管。

該實(shí)施方式提供了電壓控制模塊的一個(gè)具體的實(shí)現(xiàn)方式。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該電流源進(jìn)一步包括：第一電容濾波器(CF1)，耦接在第五MOS晶體管(MN6)的柵極和第二MOS晶體管(MN4)的源極之間。

在該實(shí)施方式中，第一電容濾波器能夠避免電流振蕩的問(wèn)題。

在一個(gè)優(yōu)選的實(shí)施方式中，該振蕩器模塊還包括：