[實用新型]產生振蕩信號的電路

有效

• 申請號: 201220753757.4
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN203135815U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 林鴻武
• 申請（專利權）人: 意法半導體研發(深圳)有限公司
• 主分類號: H03K3/02
• 分類號: H03K3/02;G05F3/26
• 代理公司: 北京市金杜律師事務所 11256
• 代理人: 鄭立柱

1.一種電路，其特征在于，包括：

-振蕩器模塊(10)，該模塊包括：

-第一MOS晶體管(MN7)，具有柵極，耦接至參考電壓節點的源極，以及耦接至該振蕩器模塊的第一觸發節點的漏極，用于通過被交替地關斷和導通來產生該振動器模塊的振蕩輸出信號；

-第一電容(C1)，耦接在第一MOS晶體管的柵極和源極之間，并被配置為相應于該振蕩信號而交替地被充電或放電，以將該第一MOS晶體管導通或關斷；

該電路還包括：

-電流源(20)，被配置為控制流經該第一MOS晶體管的電流，以使得當該第一MOS晶體管被導通時，該第一MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于一第一值。

2.根據權利要求1所述的電路，其中，該電流源包括：

第二MOS晶體管(MN4)，具有與第一MOS晶體管相同的結構；

電壓控制模塊，被配置為：在該第二MOS晶體管被導通時，控制第二MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于該第一值；

電流鏡，具有一個電阻，該電阻耦接在第二MOS晶體管的柵極和源極之間，其中，該電流鏡泄放與流過該電阻的電流相同的電流通過第一MOS晶體管。

3.根據權利要求2所述的電路，其中，該電壓控制模塊包括：

第三MOS晶體管(MN3)，具有耦接到第二MOS晶體管的漏極的源極；

第四MOS晶體管(MN1)，具有耦接到該第三MOS晶體管的柵極的源極；

第五MOS晶體管(MN6)，具有耦接到第四MOS晶體管的柵極和第三MOS晶體管的漏極的柵極，以及耦接到該第二MOS晶體管的柵極的源極；和

第六MOS晶體管(MN2)，具有都耦接到第四MOS晶體管的源極的漏極和柵極；

其中，該第二、第三、第四、第五和第六MOS晶體管具有相同的結構，且，

其中，該電流鏡泄放相同的電流通過該第三MOS晶體管(MN3)、第四MOS晶體管(MN1)和第五MOS晶體管。

4.根據權利要求3所述的電路，其中，該電壓控制控制進一步包括：

第七MOS晶體管(MN5)，具有耦接至第六MOS晶體管的源極的漏極和耦接至第二MOS晶體管的源極的源極，

其中，該第七MOS晶體管具有與第二MOS晶體管相同的結構。

5.根據權利要求3所述的電路，其中，該電流源進一步包括：

第一電容濾波器(CF1)，耦接在第五MOS晶體管(MN6)的柵極和第二MOS晶體管(MN4)的源極之間。

6.根據權利要求1所述的電路，其中，該振蕩器模塊還包括：

第八MOS晶體管(MN8)，具有柵極，耦接于參考電壓節點的源極，以及耦接到該振蕩器模塊的第二觸發節點的漏極，用于被交替地導通和關斷以生成該振蕩器模塊的振蕩輸出信號，第八MOS晶體管具有與第一MOS晶體管相同的結構，和

第二電容(C2)，耦接在第八MOS晶體管的柵極和源極之間，并被配置為響應于該振蕩輸出信號而被交替地充電或放電，以將該第八MOS晶體管導通或關斷；

其中，該振蕩器模塊交替地充電該第一和該第二電容，從而交替地導通該第一和該第八MOS晶體管；且

其中，該電流源被配置為控制流過第八MOS晶體管的電流，使得當第八MOS晶體管被導通時該第八MOS晶體管的漏極和源極之間的電壓不大于第一值。

7.根據權利要求2所述的電路，其中，該電流鏡泄放與流過該電阻的電流相同的電流來充電該第一電容。