[實用新型]半導體基片處理系統

有效

• 申請號: 201220749488.4
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN203038898U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 尹志堯;倪圖強;蘇興才;許頌臨;徐朝陽;左濤濤
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

技術領域

本實用新型涉及半導體基片處理技術領域，尤其涉及一種提高半導體基片處理效率的技術領域。

背景技術

在半導體芯片的制作過程中，通常會采用兩類半導體芯片處理系統。第一類系統通常被稱為批處理(batch?processing)系統。使用批處理系統的主要原因在多個芯片或基片能夠被同時加工處理，因而該系統可以提供高的輸出產能。但是，隨著半導體器件性能規范要求的日益嚴格，工業界已經轉而使用第二類處理室，即，單基片處理室。開發單基片處理系統的主要原因在于它更便于控制基片的工藝特性和基片表面的工藝均一性。單基片處理室通常包括真空反應腔、傳送室和基片存放室等結構，現有技術中，為了提高單基片處理室的空間利用率，通常在傳送室周圍環繞設置兩個或兩個以上的單基片處理室。

基片的處理過程通常包括對基片進行等離子體刻蝕和將刻蝕完成的基片進行光刻膠去除，業內也被之為：光刻膠灰化。由于等離子體刻蝕反應和光刻膠灰化反應對反應腔的要求不同，不能在同一反應腔內完成，目前通常的做法是將完成等離子體刻蝕的基片放置在所述基片存放室內，當基片存放室內的基片數量達到一定值時統一傳送到光刻膠去除反應機臺處進行光刻膠灰化。采用該方法在對基片進行轉移時，基片有機會暴露在空氣中，有可能造成基片的污染，同時，基片傳輸不能實時進行，增加了基片的處理的等待時間，降低了生產效率，因此，業內需要一種新型的半導體基片處理系統。

發明內容

為了解決上述問題，本實用新型提供了一種半導體基片處理系統，所述處理系統包括傳送室和處理腔室，傳送室設有傳送裝置，處理腔室設有裝卸口，所述處理腔室包括：

至少一個等離子體反應腔室，用于對基片進行等離子體刻蝕；

光刻膠去除反應腔室，用于將刻蝕完成后的基片進行光刻膠去除，

所述等離子體反應腔室和所述光刻膠去除反應腔室圍繞所述傳送室設置，所述傳送裝置可以通過所述裝卸口對所述基片進行取放。

優選的，所述的處理腔室包括兩個等離子體反應腔室和一個光刻膠去除反應腔室，所述光刻膠去除反應腔室位于兩等離子體反應腔室之間。

優選的，所述每個等離子體反應腔室包括至少兩個刻蝕處理平臺，所述兩個刻蝕處理平臺能夠單獨地或同時地刻蝕兩片或更多片基片。

優選的，所述所述光刻膠去除反應腔室包括兩個基片處理室，每個基片處理室設置一氧原子發生器，所述的氧原子發生器為位于光刻膠去除反應腔室外部的集成裝置。

進一步的，所述所述光刻膠去除反應腔室包括兩個基片處理室，所述光刻膠去除反應腔室能夠單獨地或者同時地對兩片或更多片基片進行光刻膠去除。

進一步的，所述處理系統還包括一基片存放室，所述基片存放室設有多個工藝件架，所述傳送裝置可以同時指向基片存放室的不同工藝件架的位置，以完成工藝處理件的取放。

進一步的，所述等離子體反應腔室為電容耦合式等離子體刻蝕室或電感耦合式等離子體刻蝕室，所述光刻膠去除反應腔室為電容耦合式等離子體刻蝕室或電感耦合式等離子體刻蝕室。

所述光刻膠去除反應腔室中處理結束的基片通過所述傳送裝置轉移到所述基片存放室中，移出半導體基片處理系統。

本實用新型所述技術方案的優點在于：本實用新型包括至少一個等離子體反應腔室用于對基片進行等離子體刻蝕，以及光刻膠去除反應腔室，用于將刻蝕完成后的基片進行光刻膠去除，將所述等離子體反應腔室和所述光刻膠去除反應腔室圍繞同一傳送室設置，可以保證等離子體反應腔室中完成刻蝕的基片能在第一時間進行光刻膠灰化處理，省去排隊等候和空間轉移的時間，同時由于等離子體反應腔室和光刻膠去除反應腔室在同一真空環境下，避免了基片可能產生污染的問題，提高了生產效率。

附圖說明

圖1示出本實用新型所述的半導體基片處理系統結構示意圖；

圖2示出本實用新型所述的光刻膠去除反應腔室結構示意圖。

具體實施方式

為使本實用新型實施例的目的、技術方案和優點更加清楚，下面將結合本實用新型實施例中的附圖，對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實施例是本實用新型一部分實施例，而不是全部的實施例。基于本實用新型中的實施例，本領域普通技術人員在沒有做出創造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例，都屬于本實用新型保護的范圍。