[實用新型]半導體基片處理系統

有效

• 申請號: 201220749488.4
• 申請日: 2012-12-31
• 公開（公告）號: CN203038898U
• 公開（公告）日: 2013-07-03
• 發明（設計）人: 尹志堯;倪圖強;蘇興才;許頌臨;徐朝陽;左濤濤
• 申請（專利權）人: 中微半導體設備（上海）有限公司
• 主分類號: H01L21/67
• 分類號: H01L21/67
• 代理公司: 上海智信專利代理有限公司 31002
• 代理人: 王潔

1.一種半導體基片處理系統，包括傳送室和處理腔室，傳送室設有傳送裝置，處理腔室設有裝卸口，其特征在于：所述處理腔室包括：

至少一個等離子體反應腔室，用于對基片進行等離子體刻蝕；

光刻膠去除反應腔室，用于將刻蝕完成后的基片進行光刻膠去除；

所述等離子體反應腔室和所述光刻膠去除反應腔室圍繞所述傳送室設置，所述傳送裝置通過所述裝卸口對所述基片進行取放。

2.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述的處理腔室包括兩個等離子體反應腔室和一個光刻膠去除反應腔室，所述光刻膠去除反應腔室位于兩等離子體反應腔室之間。

3.根據權利要求2所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述每個等離子體反應腔室包括至少兩個刻蝕處理平臺，所述兩個刻蝕處理平臺能夠單獨地或同時地刻蝕兩片或更多片基片。

4.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述光刻膠去除反應腔室包括兩個基片處理室，能夠單獨地或者同時地對兩片或更多片基片進行光刻膠去除。

5.根據權利要求4所述的半導體基片處理系統，其特征在于：每個基片處理室包括一氧原子發生器。

6.根據權利要求5所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述的氧原子發生器為位于光刻膠去除反應腔室外部的集成裝置。

7.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述傳送室內設有至少一個傳送裝置，所述傳送裝置可以隨傳送裝置的主軸上下移動。

8.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述傳送室內設有至少一個傳送裝置，每個傳送裝置都可以自由地前后伸縮。

9.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述處理系統還包括一基片存放室，所述基片存放室設有多個基片架，所述傳送裝置可以同時指向基片存放室的不同基片架的位置，以完成基片的取放。

10.根據權利要求1所述的半導體基片處理系統，其特征在于：所述等離子體反應腔室為電容耦合式等離子體刻蝕室或電感耦合式等離子體刻蝕室，所述光刻膠去除反應腔室為電容耦合式等離子體刻蝕室或電感耦合式等離子體刻蝕室。