[實用新型]一種微波天線有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220748697.7 | 申請日: | 2012-12-27 |
| 公開(公告)號: | CN203007416U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設計)人: | 袁廣鋒 | 申請(專利權)人: | 英利能源(中國)有限公司 |
| 主分類號: | C23C16/511 | 分類號: | C23C16/511 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 微波 天線 | ||
技術領域
本實用新型涉及PECVD設備技術領域,更具體地說,涉及一種微波天線。
背景技術
等離子體增強化學氣相沉積(Plasma?Enhanced?Chemical?VaporDeposition,縮寫為PECVD)是借助微波或射頻等,使含有薄膜組成原子的氣體發(fā)生電離,在局部形成等離子體,由于等離子體化學活性很強,容易發(fā)生反應,從而能夠在基片上沉積出所希望得到的薄膜。在光伏組件的生產(chǎn)過程中,通常使用該方法為硅片進行鍍膜。
在現(xiàn)有的PECVD設備中,利用一根管徑均勻的銅管作為微波天線。由于微波天線管徑均勻分布的形狀,在電磁波傳輸過程中發(fā)生衰減時,空間中靠近天線中間部分的能量強度要低于兩端,這導致硅片上鍍膜不均勻的問題。
由以上所述,如何對現(xiàn)有的微波天線進行改進,以改善硅片鍍膜不均勻的問題,成為本領域技術人員亟需解決的技術問題。
實用新型內(nèi)容
有鑒于此,本實用新型提供一種微波天線,以改善現(xiàn)有PECVD設備對硅片進行鍍膜時硅片鍍膜不均勻的問題。
為實現(xiàn)上述目的,本實用新型提供如下技術方案:
一種微波天線,包括等管徑的小管徑段、設置在小管徑段兩側(cè)的過渡段和與過渡段相連接且等管徑的大管徑段;
過渡段的管徑由小管徑段向大管徑段的方向逐漸增大。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,微波天線以小管徑段的中點為對稱中點。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,大管徑段的內(nèi)徑為6mm,長度為30cm。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,小管徑段的內(nèi)徑為3mm,長度為49cm。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,大管徑段的內(nèi)徑比小管徑段的內(nèi)徑大2mm至3mm。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,過渡段的長度為2mm至3mm。
優(yōu)選地,在上述的微波天線中,過渡段的內(nèi)徑變化規(guī)律符合雙曲線函數(shù)關系。
本實用新型提供了一種微波天線,包括小管徑段、位于小管徑段兩側(cè)的過渡段和與變管徑段相連的大管徑段。其中,小管徑段和大管徑段上的各處管徑相等,過渡段的管徑由小管徑段向大管徑段的方向逐漸增大。
在本實用新型所提供的微波天線中,位于中間的小管徑段的直徑小于位于兩端的大管徑段的直徑,增加了微波天線中間部分的電磁波能量強度,從而增加了石墨舟中間部分硅片的PECVD膜厚度,改善了硅片膜厚的均勻性。
附圖說明
為了更清楚地說明本實用新型實施例或現(xiàn)有技術中的技術方案,下面將對實施例或現(xiàn)有技術描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅是本實用新型的一些實施例,對于本領域普通技術人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下,還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖1為現(xiàn)有的微波天線的結構示意圖;
圖2為本實用新型實施例所提供的微波天線的結構示意圖。
以上圖1-2中:
小管徑段1、過渡段2和大管徑段3。
具體實施方式
本實用新型實施例公開了一種微波天線,以改善現(xiàn)有PECVD設備對硅片進行鍍膜時硅片鍍膜不均勻的問題。
下面將結合本實用新型實施例中的附圖,對本實用新型實施例中的技術方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本實用新型一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒緦嵱眯滦椭械膶嵤├绢I域普通技術人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本實用新型保護的范圍。
請參考圖2,本實施例提供了一種微波天線,包括小管徑段1、過渡段2和大管徑段3。
其中,過渡段2位于小管徑段1的兩側(cè),大管徑段3位于過渡段2的外側(cè);小管徑段1和大管徑段3上的各處管徑相等,過渡段2的管徑由小管徑段1向大管徑段3的方向逐漸增大。
在本實施例所提供的微波天線中,位于中間的小管徑段1的直徑小于位于兩端的大管徑段3的直徑,增加了微波天線中間部分的電磁波能量強度,從而增加了石墨舟中間部分硅片的PECVD膜厚度,改善了硅片膜厚的均勻性。
具體的,在上述實施例所提供的微波天線中,微波天線以小管徑段1的中點為對稱中點。大管徑段3的長度為33cm左右,優(yōu)選地,大管徑段3的長度為30cm,內(nèi)徑為6mm。小管徑段1的長度為49cm至60cm,優(yōu)選地,小管徑段1的長度為49cm,內(nèi)徑為3mm。過渡段2的長度為2mm-3mm,內(nèi)徑為3mm-6mm。同時,過渡段2的內(nèi)徑變化規(guī)律符合雙曲線函數(shù)關系,即過渡段2為以微波天線的軸線為回轉(zhuǎn)軸線,以一條雙曲線為母線的回轉(zhuǎn)體。
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C23C16-00 通過氣態(tài)化合物分解且表面材料的反應產(chǎn)物不留存于鍍層中的化學鍍覆,例如化學氣相沉積
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C23C16-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金屬材料的沉積為特征的
C23C16-22 .以沉積金屬材料以外之無機材料為特征的





