[實(shí)用新型]半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)和芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220736509.9
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203134790U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 蘇曼特·蘭加納森;肯特·查爾斯·奧爾特勒;萬佑宏
• 申請（專利權(quán)）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權(quán)代理有限責(zé)任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

技術(shù)領(lǐng)域

本公開涉及半導(dǎo)體。特別地，本公開涉及改善密封環(huán)和有源電路之間的電隔離的半導(dǎo)體芯片（semiconductor?die）布局。

背景技術(shù)

集成電路常常用半導(dǎo)體制作。半導(dǎo)體集成電路設(shè)計(jì)可以是包括模擬電路和數(shù)字電路的混合信號有源電路設(shè)計(jì)。除了模擬電路和數(shù)字電路外，密封環(huán)可圍繞有源電路以便為半導(dǎo)體提供機(jī)械支持以及防止有害的環(huán)境影響。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型的一個方面涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：襯底層；導(dǎo)電層，與所述襯底層連接；有源電路，與所述導(dǎo)電層連接；密封環(huán)，與所述導(dǎo)電層連接并通過組裝隔離區(qū)域與所述有源電路分開；以及電隔離區(qū)域，位于所述導(dǎo)電層中且與所述組裝隔離區(qū)域相鄰，其中所述電隔離區(qū)域延伸至所述襯底層。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述有源電路包括噪聲敏感電路和噪聲電路。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述噪聲敏感電路和所述噪聲電路包括模擬電路和數(shù)字電路中的至少一種。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選還包括電氣隔離所述模擬電路和所述數(shù)字電路的有源隔離區(qū)域。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述導(dǎo)電層包括p井。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述電氣隔離區(qū)包括淺溝槽隔離層和本地層，所述本地層與所述淺溝槽隔離層和所述襯底層連接。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述本地層包括源自所述襯底層的本地氧化物（native?oxide）。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括淺溝槽隔離層和連接所述淺溝槽隔離層的井層（well?layer），其中所述井層延伸至所述襯底中。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述井層包括n井。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選還包括井層和與所述井層連接的深井層，其中所述深井層延伸至所述襯底層中。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述井層包括n井，而所述深井包括深n井。

本實(shí)用新型的另一方面涉及一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括：導(dǎo)電層；以及電隔離區(qū)域，位于所述導(dǎo)電層中，所述電隔離區(qū)域在有源電路和密封環(huán)之間電氣斷開所述導(dǎo)電層。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括氧化物。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括井。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述井包括n井。

上述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括井和深井。

本實(shí)用新型的又一方面涉及一種芯片，包括：襯底層；導(dǎo)電層，與所述襯底層連接，所述導(dǎo)電層包括電隔離區(qū)域；密封環(huán)，與所述導(dǎo)電層連接；以及有源電路，連接所述導(dǎo)電層，所述有源電路通過所述電隔離區(qū)域與所述密封環(huán)電氣隔離，其中所述電隔離區(qū)域與所述襯底連接。

上述芯片中，優(yōu)選所述有源電路包括噪聲敏感電路和噪聲電路。

上述芯片中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括本地氧化物。

上述芯片中，優(yōu)選所述電隔離區(qū)域包括井。

附圖說明

參考附圖和以下描述可以更好地理解本創(chuàng)新。在附圖中，相似的參考數(shù)字指代不同視圖中相應(yīng)的部分。

圖1示出半導(dǎo)體芯片的俯視圖的示例。

圖2是一個示例的半導(dǎo)體芯片的截面。

圖3是另一個示例的半導(dǎo)體芯片的截面。

圖4是另一個示例的半導(dǎo)體芯片的截面。

具體實(shí)施方式

下面的討論涉及半導(dǎo)體芯片。通常，半導(dǎo)體芯片是大批量地形成在半導(dǎo)體晶圓（wafer）上的集成電路。然后從晶圓上切割集成電路作為半導(dǎo)體芯片（die）。半導(dǎo)體芯片可以是層狀結(jié)構(gòu)，其中各個層提供特定的電氣和物理特性以形成具有期望的功能的集成電路。形成在半導(dǎo)體材料上的集成電路可以為包括模擬電路或數(shù)字電路或這二者的有源電路。半導(dǎo)體芯片的各個層可以包括襯底。另外，半導(dǎo)體芯片可以包括導(dǎo)電層。具有襯底的導(dǎo)電層可具有對形成所需功能的電路有利的電氣和物理特性。隨著電路體積增大芯片區(qū)域縮小，改善的布局可在模擬電路和數(shù)字電路之間提供足夠的隔離。在有密封環(huán)的半導(dǎo)體中，改善的布局可用于防止密封環(huán)允許噪聲在模擬電路和數(shù)字電路之間耦合。

圖1示出當(dāng)從上往下看時的一個示例半導(dǎo)體芯片，其示出半導(dǎo)體的各個區(qū)域。半導(dǎo)體芯片可包括有源電路110和密封環(huán)102。密封環(huán)102可作為諸如濕氣、化學(xué)品或腐蝕性氣體等的環(huán)境滲透劑的屏障圍繞在有源電路110周圍。密封環(huán)102還在芯片的鋸切操作中作為機(jī)械屏障以幫助防止裂紋傳播到有源電路110。密封環(huán)102可由交替的導(dǎo)電層和絕緣層組成。通孔可將導(dǎo)電層彼此連接，密封環(huán)可連接到襯底上。