[實用新型]半導體結構和芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220736509.9
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203134790U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 蘇曼特·蘭加納森;肯特·查爾斯·奧爾特勒;萬佑宏
• 申請（專利權）人: 美國博通公司
• 主分類號: H01L23/552
• 分類號: H01L23/552
• 代理公司: 北京康信知識產(chǎn)權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 田喜慶

1.一種半導體結構，包括：

襯底層；

導電層，與所述襯底層連接；

有源電路，與所述導電層連接；

密封環(huán)，與所述導電層連接并通過組裝隔離區(qū)域與所述有源電路分開；以及

電隔離區(qū)域，位于所述導電層中且與所述組裝隔離區(qū)域相鄰，其中所述電隔離區(qū)域延伸至所述襯底層。

2.權利要求1所述的半導體結構，其中，所述有源電路包括噪聲敏感電路和噪聲電路。

3.權利要求2所述的半導體結構，其中，所述噪聲敏感電路和所述噪聲電路包括模擬電路和數(shù)字電路中的至少一種。

4.權利要求3所述的半導體結構，還包括電氣隔離所述模擬電路和所述數(shù)字電路的有源隔離區(qū)域。

5.權利要求1所述的半導體結構，其中，所述導電層包括p井。

6.權利要求1所述的半導體結構，其中，所述電氣隔離區(qū)包括淺溝槽隔離層和本地層，所述本地層與所述淺溝槽隔離層和所述襯底層連接。

7.權利要求6所述的半導體結構，其中，所述本地層包括源自所述襯底層的本地氧化物。

8.權利要求1所述的半導體結構，其中，所述電隔離區(qū)域包括淺溝槽隔離層和連接所述淺溝槽隔離層的井層，其中所述井層延伸至所述襯底中。

9.一種半導體結構，包括：

導電層；以及

電隔離區(qū)域，位于所述導電層中，所述電隔離區(qū)域在有源電路和密封環(huán)之間電氣斷開所述導電層。

10.一種芯片，包括：

襯底層；

導電層，與所述襯底層連接，所述導電層包括電隔離區(qū)域；

密封環(huán)，與所述導電層連接；以及

有源電路，與所述導電層連接，所述有源電路通過所述電隔離區(qū)域與所述密封環(huán)電氣隔離，其中所述電隔離區(qū)域與所述襯底連接。