[實用新型]一體化多路低溫開關和高溫超導陷波器組件

有效

• 申請號: 201220734733.4
• 申請日: 2012-12-28
• 公開（公告）號: CN203071888U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 楊時紅;左濤;陸勤龍;劉洋;汪名峰;陳新民;賓峰;丁曉杰;劉少敏
• 申請（專利權）人: 中國電子科技集團公司第十六研究所
• 主分類號: H03H7/54
• 分類號: H03H7/54
• 代理公司: 合肥天明專利事務所 34115
• 代理人: 奚華保;吳娜

技術領域

本實用新型涉及一種微波組件，尤其是一種一體化多路低溫開關和高溫超導陷波器組件。

背景技術

常規的一分四開關陷波組件的插損大于5dB,插損較高；矩形系數在10以上，矩形系數較差；抑制度只有60dB?左右，抑制度較低?？梢?，常規的一分四開關陷波組件在系統中只能采用分時工作、整個信號頻段陷波的工作模式，無法滿足現代高性能捷變頻接收機的要求。

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種插損小、矩形系數高、抑制度高的一體化多路低溫開關和高溫超導陷波器組件。

為實現上述目的，本實用新型采用了以下技術方案：一種一體化多路低溫開關和高溫超導陷波器組件，包括第一微波電纜，其通過第一低溫開關與至少兩個高溫超導陷波器的輸入端相連；還包括第二微波電纜，其通過第二低溫開關與所述高溫超導陷波器的輸出端相連，第一微波電纜、第一低溫開關、高溫超導陷波器、第二低溫開關和第二微波電纜均密封在杜瓦內。

所述高溫超導陷波器由第一、二、三、四高溫超導陷波器組成，所述第一微波電纜的一端與第一密封SMA連接器相連，其另一端通過第一SMA連接與第一低溫開關的輸入接口J0相連，第一低溫開關為單刀四擲開關，第一低溫開關的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導陷波器的輸入接口相連；所述第二微波電纜的一端與第二密封SMA連接器相連，其另一端通過第二SMA連接與第二低溫開關的輸入接口J0相連，第二低溫開關為單刀四擲開關，第二低溫開關的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導陷波器的輸出接口相連。

所述第一微波電纜、第二微波電纜均采用不銹鋼微波電纜。

所述第一、二、三、四高溫超導陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器、第二密封SMA連接器安裝在杜瓦的外壁上。

所述的高溫超導陷波器由芯片和盒體組成，所述芯片通過銦片焊接在盒體的底部，且采用氧化鎂作為基片，其厚度為0.5mm；所述的芯片上設置高溫超導陷波器電路，高溫超導陷波器電路由輸入接口、輸出接口、主線及位于主線同一側的多個諧振器組成，輸入接口、輸出接口分別位于主線的兩端。

所述的盒體材料采用合金鈦，所述諧振器的個數為7個。

由上述技術方案可知，本實用新型將高溫超導陷波器與低溫開關組成一體，作為開關陷波組件，結構緊湊；采用高溫超導材料制備的陷波器具有插入損耗小、矩形系數好、抑制度深等優點；采用低溫開關具有響應速度快、噪聲溫度低等效果；由該組件構成的系統，其通帶損耗小于2.5dB，阻帶陷波深度達70dB以上，陷波矩形系數小于2，開關速度優于50ns；可有效擴展接收機有限的接收能力和信號處理能力，抑制捷變頻信號對電子裝備的干擾。

附圖說明

圖1是本實用新型的結構示意圖；

圖2是本實用新型中高溫超導陷波器電路結構示意圖。

具體實施方式

一種一體化多路低溫開關和高溫超導陷波器組件，包括第一微波電纜3，其通過第一低溫開關6與至少兩個高溫超導陷波器8的輸入端相連；還包括第二微波電纜4，其通過第二低溫開關7與所述高溫超導陷波器8的輸出端相連，第一微波電纜3、第一低溫開關6、高溫超導陷波器8、第二低溫開關7和第二微波電纜4均密封在杜瓦5內。所述第一微波電纜3、第二微波電纜4均采用不銹鋼微波電纜。所述第一、二、三、四高溫超導陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器1、第二密封SMA連接器2安裝在杜瓦5的外壁上，如圖1所示。

如圖1所示，所述高溫超導陷波器8由第一、二、三、四高溫超導陷波器組成，所述第一微波電纜3的一端與第一密封SMA連接器1相連，其另一端通過第一SMA連接器9與第一低溫開關6的輸入接口J0相連，第一低溫開關6為單刀四擲開關，第一低溫開關6的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導陷波器的輸入接口11相連；所述第二微波電纜4的一端與第二密封SMA連接器2相連，其另一端通過第二SMA連接器10與第二低溫開關7的輸入接口J0相連，第二低溫開關7為單刀四擲開關，第二低溫開關7的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導陷波器的輸出接口12相連。第一低溫開關6和第二低溫開關7通過TTL電平聯動控制，達到一路進一路出。???????????????