[實(shí)用新型]一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220734733.4
• 申請(qǐng)日: 2012-12-28
• 公開（公告）號(hào): CN203071888U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 楊時(shí)紅;左濤;陸勤龍;劉洋;汪名峰;陳新民;賓峰;丁曉杰;劉少敏
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 中國電子科技集團(tuán)公司第十六研究所
• 主分類號(hào): H03H7/54
• 分類號(hào): H03H7/54
• 代理公司: 合肥天明專利事務(wù)所 34115
• 代理人: 奚華保;吳娜

1.一種一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：包括第一微波電纜（3），其通過第一低溫開關(guān)（6）與至少兩個(gè)高溫超導(dǎo)陷波器（8）的輸入端相連；還包括第二微波電纜（4），其通過第二低溫開關(guān)（7）與所述高溫超導(dǎo)陷波器（8）的輸出端相連，第一微波電纜（3）、第一低溫開關(guān)（6）、高溫超導(dǎo)陷波器（8）、第二低溫開關(guān)（7）和第二微波電纜（4）均密封在杜瓦（5）內(nèi)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：所述高溫超導(dǎo)陷波器（8）由第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器組成，所述第一微波電纜（3）的一端與第一密封SMA連接器（1）相連，其另一端通過第一SMA連接器（9）與第一低溫開關(guān)（6）的輸入接口J0相連，第一低溫開關(guān)（6）為單刀四擲開關(guān)，第一低溫開關(guān)（6）的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸入接口（11）相連；所述第二微波電纜（4）的一端與第二密封SMA連接器（2）相連，其另一端通過第二SMA連接器（10）與第二低溫開關(guān)（7）的輸入接口J0相連，第二低溫開關(guān)（7）為單刀四擲開關(guān)，第二低溫開關(guān)（7）的四路輸出接口J1、J2、J3、J4分別與第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的輸出接口（12）相連。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：所述第一微波電纜（3）、第二微波電纜（4）均采用不銹鋼微波電纜。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：所述第一、二、三、四高溫超導(dǎo)陷波器的中心頻率相異；所述第一密封SMA連接器（1）、第二密封SMA連接器（2）安裝在杜瓦（5）的外壁上。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：所述的高溫超導(dǎo)陷波器（8）由芯片和盒體組成，所述芯片通過銦片焊接在盒體的底部，且采用氧化鎂作為基片，其厚度為0.5mm；所述的芯片上設(shè)置高溫超導(dǎo)陷波器電路，高溫超導(dǎo)陷波器電路由輸入接口（11）、輸出接口（12）、主線（14）及位于主線（14）同一側(cè)的多個(gè)諧振器（13）組成，輸入接口（11）、輸出接口（12）分別位于主線（14）的兩端。

6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一體化多路低溫開關(guān)和高溫超導(dǎo)陷波器組件，其特征在于：所述的盒體材料采用合金鈦，所述諧振器（13）的個(gè)數(shù)為7個(gè)。