[實用新型]負電荷泵電路

有效

• 申請號: 201220734121.5
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203151371U
• 公開（公告）日: 2013-08-21
• 發明（設計）人: 科奈斯·P·斯諾登
• 申請（專利權）人: 快捷半導體（蘇州）有限公司;快捷半導體公司
• 主分類號: H02M3/07
• 分類號: H02M3/07
• 代理公司: 北京派特恩知識產權代理事務所(普通合伙) 11270
• 代理人: 武晨燕;張穎玲

技術領域

本申請涉及負電荷泵。?

背景技術

負電荷泵電路用于為需要負電壓來工作的設備供電。傳統的負電荷泵電路具有電荷泄露的缺點。因此，需要提出一種能夠降低或消除電荷泄露的負電荷泵電路。?

實用新型內容

總的來說，本申請提供了一種配置為提供一低于基準電壓(例如地電壓)的電壓的負電荷泵電路。該電荷泵電路包括降低或消除電荷泄漏的阻塞電路從而可在輸出端處形成負電壓。該電荷泵電路包括互補的MOS開關對，所述互補的MOS開關對根據互補的電容器上形成的電荷以互補方式切換以提供負電壓電源。有利的是，所述負電源可用來為多種需要負電壓來工作的設備供電。?

相應地，在本申請的一個實施例中提供一種負電荷泵電路，包括：第一PMOS/NMOS開關對，耦合在負電壓輸出端和基準電勢之間；和第二PMOS/NMOS開關對，耦合在負電壓輸出端和基準電勢之間。該負電荷泵電路還包括：第一電容器，具有耦合到第一時鐘信號的正節點和耦合到所述第一PMOS/NMOS開關對及所述第二PMOS/NMOS開關對的負節點，所述第一時鐘信號配置為對所述第一電容器充電，所述負節點配置為控制所述第二PMOS/NMOS開關對的導通狀態，和第二電容器，具有耦合到第二時鐘信號的正節點和耦合到所述第二PMOS/NMOS開關對及所述第一PMOS/NMOS開關對的負節點，所述第二時鐘信號配置為對所述第二電容器充電，所述負節點配置為控制所述第一PMOS/NMOS開關對的導通狀態。所述負電荷泵電路進一步?包括：第一阻塞電路，耦合到所述第一PMOS/NMOS開關對的PMOS開關并耦合到所述基準電勢，所述第一阻塞電路配置為防止所述第一電容器的負節點處的電荷經所述第一PMOS/NMOS開關對的PMOS開關泄露到所述基準電勢；和第二阻塞電路，耦合到所述第二PMOS/NMOS開關對的PMOS開關并耦合到所述基準電勢，所述第二阻塞電路配置為防止所述第二電容器的負節點處的電荷經所述第二PMOS/NMOS開關對的PMOS開關泄露到所述基準電勢。?

在本申請的另一實施例中提供一種負電荷泵電路，包括：第一PMOS/NMOS開關對，耦合在負電壓輸出端和基準電勢之間；和第二PMOS/NMOS開關對，耦合在負電壓輸出端和基準電勢之間。所述負電荷泵電路還包括：第一阻塞電路，耦合到所述第一PMOS/NMOS開關對中的PMOS開關并耦合到所述基準電勢，所述第一阻塞電路配置為防止所述第一PMOS/NMOS開關對的PMOS開關和NMOS開關之間的電荷經所述第一PMOS/NMOS開關對的PMOS開關泄露到所述基準電勢；和第二阻塞電路，耦合到所述第二PMOS/NMOS開關對中的PMOS開關并耦合到所述基準電勢，所述第二阻塞電路配置為防止所述第二PMOS/NMOS開關對的PMOS開關和NMOS開關之間的電荷經所述第二PMOS/NMOS開關對的PMOS開關泄露到所述基準電勢。?

附圖說明

所要求保護的主題的特征和優點將從以下與之相符的實施例的具體描述中變得顯而易見，對實施例的描述應當參照附圖來考慮，在附圖中：?

圖1顯示了與本申請的各個實施例相符的負電荷泵電路；?

圖2A顯示了在一個操作階段期間圖1的負電荷泵電路；?

圖2B顯示了圖2A的電荷泵電路的操作的各種時序信號；?

圖3A顯示了在另一操作階段期間圖1的負電荷泵電路；和?

圖3B顯示了圖3A的電荷泵電路的操作的各種時序信號。?

盡管下列具體實施方式中將參照說明性的實施例來進行闡述，但是該實施例的許多替代、修改以及變體對于那些本領域技術人員來說將變得顯而易見。?

具體實施方式

總的來說，本申請提供了一種配置為提供一低于基準電壓(例如地電壓)的電壓的負電荷泵電路。該電荷泵電路包括阻塞電路，該阻塞電路降低或消除電荷泄漏，從而可在輸出端處形成負電壓。該電荷泵電路包括互補的MOS開關對，所述互補的MOS開關對根據互補的電容器上形成的電荷以互補方式切換以提供負電壓電源。有利的是，所述負電源可用來為多種需要負電壓來工作的設備供電。?