[實用新型]一種高效率肖特基芯片

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220731995.5
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203055917U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 關(guān)仕漢;呂新立
• 申請（專利權(quán)）人: 淄博美林電子有限公司
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/06
• 代理公司: 淄博佳和專利代理事務(wù)所 37223
• 代理人: 孫愛華

1.一種高效率肖特基芯片，包括頂部金屬層（1）、頂部金屬層（1）下方的肖特基界面（5）、緊靠肖特基界面（5）下方的多晶硅（2）、多晶硅外周的第一溝槽（3）、下部的N型外延層N-EPI（6）和N型基片N⁺Substrate（7），其特征在于：在兩相鄰第一溝槽之間增設(shè)第二溝槽（4），使肖特基界面成為平面和溝槽相間隔的結(jié)構(gòu)。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）為方形槽，每兩個第一溝槽（3）之間設(shè)置一個。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種高效率肖特基芯片，其特征在于：所述的第二溝槽（4）的深度低于第一溝槽（3）的深度。