[實用新型]多膜層復合包裹薄膜

有效

• 申請號: 201220731864.7
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203179864U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 曾光偉;李學平;費三國
• 申請（專利權）人: 雅化集團綿陽實業有限公司
• 主分類號: H01L23/31
• 分類號: H01L23/31;H01L23/29;F42C11/00
• 代理公司: 成都九鼎天元知識產權代理有限公司 51214
• 代理人: 卿誠

技術領域

本實用新型涉及一種微電子領域中使用的包裹材料，特別是涉及一種多膜層復合包裹薄膜。

背景技術

眾所周知，微電子技術之所以能日新月異般飛速發展與其使用各種類型新技術材料密不可分。其性能優良、技術先進、參數穩定的新技術材料則成為微電子技術高速發展關鍵。近年來在高技術武器引信引爆系統應用半導體橋(SCB)?點火技術設置的各種快速點火起爆裝置，而迅速成為世界各國高技術武器的引信與點火系統爭相應用的新技術途徑。西方軍事專家已有應用半導體橋(SCB)點火器制造了不同用途、不同需求的快速點火裝置的相關報道。半導體橋(SCB)?點火技術關鍵特點是只要對其?點火裝置施加一個電脈沖，就可瞬間產生高溫、巨熱、劇烈沖擊的等離子體，瞬間足以點燃或引爆各種不同類型含能材料。因此，半導體橋(SCB)快速點火技術已成為各種快速點火起爆領域具有廣泛應用前途的一門嶄新技術。

再由于半導體橋(SCB)具有體積小、結構簡單、重量輕、起爆能量低、作用時間短。以及對靜電放電、漏電竄擾、電磁輻射、電離輻射強有力抵御能力等優特點，所以半導體橋(SCB)點火技術很快就在高技術武器中得到了重要應用。

隨現代社會的快速發展以及現有工業電雷管應用環境的靜電感應、電磁輻射、電離輻射、電磁波和雜散電流等因素加劇，加之民用工業電雷管的點火藥、起爆藥是用極為敏感的化學試劑固有缺陷，使得工業電雷管在生產、運輸、儲存、使用過程中經常容易發生意外爆炸事故，安全問題尤為突出，它已不能滿足不同環境使用要求。為此，國內外同行專家相繼進行了不懈努力尋求新的解決問題的技術途徑，以期解決根本問題。

使用多膜層復合包裹材料，可以制造出各種結構、不同需求的半導體橋(SCB)快速點火裝置。但是用于制作半導體橋(SCB)快速點火器的摻雜多晶硅薄膜材料，不僅需要超凈環境和各種昂貴專用設備，而且必須具有不同專業知識豐富的技術人員對各復合膜層各界面的物理化學效應準確掌控。由于制作工藝技術難度大，時至今日還沒有建立一個可用的技術規范，致使該技術廣泛應用受到很大限制。目前，只是在一些高技術武器上有半導體橋(SCB)點火器技術應用的零星報道。而用于制造半導體橋(SCB)點火器所必須使用的摻雜多晶硅薄膜材料的制備技術，還未見有相關技術資料報道。

實用新型內容

本實用新型的目的是解決現有技術的問題，提供一種多膜層復合包裹薄膜，該薄膜不但技術先進、性能穩定，同時還具有防止高濃度摻雜原子下沉效應發生和阻斷外逸效應的雙重功能。???

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種多膜層復合包裹薄膜，為多層結構，包括單晶硅材料襯底層、二氧化硅薄膜介質層、摻雜多晶硅薄膜層和氮化硅薄膜介質層，其中單晶硅材料襯底層表面包裹二氧化硅薄膜介質層，二氧化硅薄膜介質層表面包裹摻雜多晶硅薄膜層，摻雜多晶硅薄膜層表面上包裹氮化硅薄膜介質層。

在上述技術方案中，所述單晶硅材料襯底層、二氧化硅薄膜介質層、摻雜多晶硅薄膜層和氮化硅薄膜介質層緊密包裹形成一個緊密整體。?

從上述本實用新型的各項技術特征可以看出，其優點是：它消除了單晶硅襯底材料與摻雜多晶硅薄膜材料界面的濃度梯度差，致使多晶硅薄膜中摻雜原子往單晶硅襯底材料中擴散的固有的下沉效應；它能有效屏蔽摻雜多晶硅薄膜材料表面與外界化學氣氛、微粒金屬雜質接觸而與摻雜多晶硅薄膜材料表面缺鍵態生成新的共價鍵，致使摻雜多晶硅薄膜材料表面雜質濃度減少而發生的原子外逸效應；本實用新型特點突出，結構簡潔，可以實現自動化大規模生產，產品具有一致性好、可靠性高，價格低廉、市場應用廣泛等優點。

附圖說明

本實用新型將通過附圖比較以及結合實例的方式說明：

圖1是本實用新型結構示意圖；

其中附圖標記：1是氮化硅薄膜介質層?????2是摻雜多晶硅薄膜層

?????3是二氧化硅薄膜介質層????????4是單晶硅材料襯底層。

具體實施方式

????下面結合附圖通過實施例對本實用新型做進一步的說明。