[實用新型]一種圓片級LED封裝結構

有效

• 申請號: 201220731769.7
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203071136U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發明（設計）人: 謝曄;張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓然

技術領域

本實用新型涉及一種圓片級LED封裝結構，屬于半導體封裝技術領域。

背景技術

半導體照明行業是未來的新型產業，LED照明更是未來照明的主宰，在過去的國際大環境下，資源的緊張、環境的惡劣，從而影響了人們的居住生活環境；節能減排已成為各國重中之重急需解決的問題，故各國都采取措施，將LED照明列為未來照明的核心，通過政府的扶持、補貼來帶動LED照明市場的迅猛發展，中國從2009年開展的十城萬盞示范城市，到今年的城市亮化工程及今年11月出臺了，在2016年10月逐步全面淘汰白熾燈的措施，都可看出LED在未來照明中的核心位置。

目前，市場上所售的品牌LED照明燈標出的使用壽命在2萬到3萬小時，遠低于其理論的使用壽命，而且它的電光轉換效率也會隨點亮時間很快降低，其中主要原因在于LED的芯片很小，但通電后發熱量很大，內部熱量難以很快的擴散出去，內部P/N結結溫過高所致，所以需要靠封裝來幫助其散熱。目前所售LED的封裝幾乎都是采用引線鍵合的方式實現，該方式的不足在于，引線會在發光時產生陰影，影響發光均勻性。

發明內容

本實用新型的目的在于克服當前封裝結構的不足，提供一種熱阻低、散熱性能好、提升出光效率和發光均勻性的圓片級LED封裝結構。

本實用新型的目的是這樣實現的：一種圓片級LED封裝結構，包括LED芯片、帶有硅基型腔的硅本體、設置在硅基型腔內及硅本體上表面的絕緣層、選擇性地覆蓋于絕緣層上的金屬反射層和設置在硅本體上方的玻璃，所述玻璃下表面設置光致發光層，所述金屬反射層在硅基型腔底部形成金屬反射層開口，硅基型腔下方設置若干個硅通孔，所述LED芯片的正面設置N電極和P電極，所述硅基型腔內充滿膠類填充物。

一種圓片級LED封裝結構還包括設置在金屬反射層開口內的左導電電極和右導電電極，所述LED芯片通過相對應的左導電電極和右導電電極倒裝在硅基型腔內的金屬反射層開口內，所述硅通孔的頂部分別為左導電電極和右導電電極的下表面，所述硅通孔的側壁和硅本體的下表面選擇性地設置絕緣保護層，所述絕緣保護層上和硅通孔頂部設置金屬線路層，所述金屬線路層于N電極和P電極的交界的下方斷開，所述金屬線路層上選擇性地設置線路表面保護層，并設有線路表面保護層開口。

所述左導電電極和右導電電極呈塊狀或柱狀，左導電電極與N電極連接，右導電電極與P電極連接。

所述左導電電極和右導電電極與金屬反射層不接觸。

所述LED芯片的個數為一個或一個以上。

所述硅通孔的形狀為直孔、梯形孔或倒Y形孔。

所述硅通孔成面陣排布。

所述玻璃的形狀為平面形、半球形或方凸形。

所述金屬線路層為單層或多層金屬。

所述線路表面保護層覆蓋所有硅通孔及其外圍空間，所述線路表面保護層開口露出金屬線路層的兩側。

所述硅基型腔的深度大于LED芯片厚度。

本實用新型的有益效果是：?

本實用新型的LED芯片的N電極和P電極分別通過左導電電極和右導電電極倒裝在硅基型腔內，與左導電電極和右導電電極相通的硅通孔內填充金屬線路層，將LED芯片的信息導至封裝結構的背面，同時消除引線陰影，提升LED封裝結構的發光均勻性；硅通孔采用面陣排布，增大了散熱面積、增多了散熱通道，降低了LED整體封裝的熱阻，提升了LED芯片的散熱速度，有助于LED芯片的發光效率的提高和產品的性能的提升。

附圖說明

圖1為本實用新型一種圓片級LED封裝結構的示意圖。

圖中：

LED芯片100

N電極101

P電極102

硅本體200

硅基型腔210

絕緣層211

金屬反射層212

金屬反射層開口213

硅通孔220

絕緣保護層221

金屬線路層222

線路表面保護層223

線路表面保護層開口224

玻璃300

光致發光層400

膠類填充物500

左導電電極601

右導電電極602。

具體實施方式