[實用新型]一種圓片級LED封裝結(jié)構(gòu)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220731769.7
• 申請日: 2012-12-27
• 公開（公告）號: CN203071136U
• 公開（公告）日: 2013-07-17
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 謝曄;張黎;陳棟;賴志明;陳錦輝
• 申請（專利權(quán)）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L33/64
• 分類號: H01L33/64;H01L33/62
• 代理公司: 南京經(jīng)緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 樓然

1.一種圓片級LED封裝結(jié)構(gòu)，包括LED芯片（100）、帶有硅基型腔（210）的硅本體（200）、設(shè)置在硅基型腔（210）內(nèi)及硅本體（200）上表面的絕緣層（211）、選擇性地覆蓋于絕緣層（211）上的金屬反射層（212）和設(shè)置在硅本體（200）上方的玻璃（300），所述玻璃（300）下表面設(shè)置光致發(fā)光層（400），所述金屬反射層（212）在硅基型腔（210）底部形成金屬反射層開口（213），硅基型腔（210）的下方設(shè)置若干個硅通孔（220），所述LED芯片（100）的正面設(shè)置N電極（101）和P電極（102），所述硅基型腔（210）內(nèi)充滿膠類填充物（500），

其特征在于：還包括設(shè)置在金屬反射層開口（213）內(nèi)的左導(dǎo)電電極（601）和右導(dǎo)電電極（602），所述LED芯片（100）通過相對應(yīng)的左導(dǎo)電電極（601）和右導(dǎo)電電極（602）倒裝在硅基型腔（210）內(nèi)的金屬反射層開口（213）內(nèi)，所述硅通孔（220）的頂部分別為左導(dǎo)電電極（601）和右導(dǎo)電電極（602）的下表面，所述硅通孔（220）的側(cè)壁和硅本體（200）的下表面選擇性地設(shè)置絕緣保護層（221），所述絕緣保護層（221）上和硅通孔（220）頂部設(shè)置金屬線路層（222），所述金屬線路層（222）于N電極（101）和P電極（102）的交界的下方斷開，所述金屬線路層（222）上選擇性地設(shè)置線路表面保護層（223），并設(shè)有線路表面保護層開口（224）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述左導(dǎo)電電極（601）和右導(dǎo)電電極（602）呈塊狀或柱狀，左導(dǎo)電電極（601）與N電極（101）連接，右導(dǎo)電電極（602）與P電極（102）連接。

3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述左導(dǎo)電電極（601）和右導(dǎo)電電極（602）與金屬反射層（212）不接觸。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述LED芯片（100）的個數(shù)為一個或一個以上。

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅通孔（220）的形狀為直孔、梯形孔或倒Y形孔。

6.根據(jù)權(quán)利要求1或5所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅通孔（220）成面陣排布。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述玻璃（300）的形狀為平面形、半球形或方凸形。

8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述金屬線路層（222）為單層或多層金屬。

9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述線路表面保護層（223）覆蓋所有硅通孔（220）及其外圍空間，所述線路表面保護層開口（224）露出金屬線路層（222）的兩側(cè)。

10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種圓片級LED芯片封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于：所述硅基型腔（210）的深度大于LED芯片（100）的厚度。