[實用新型]MOS管電阻器

有效

• 申請號: 201220726774.9
• 申請日: 2012-12-25
• 公開（公告）號: CN203013736U
• 公開（公告）日: 2013-06-19
• 發明（設計）人: 李鵬;張亮;吳艷輝;陳麗;陳寧;謝雪松
• 申請（專利權）人: 上海貝嶺股份有限公司
• 主分類號: H01L29/8605
• 分類號: H01L29/8605
• 代理公司: 北京金信立方知識產權代理有限公司 11225
• 代理人: 劉鋒;劉世杰

1.一種MOS管電阻器，其特征在于，包括第一電阻端子、第二電阻端子、以及位于該第一電阻端子和第二電阻端子之間的單向導通電阻單元，該單向導通電阻單元包括第一PMOS管和第二PMOS管，其中，

該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第一電阻端子相連接，該第一PMOS管的柵極和該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接；

該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第二PMOS管的柵極和該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極和該第二電阻端子相連接；

并且，該第一PMOS管的襯底引出極和該第二PMOS管的襯底引出極保持電位浮空。

2.根據權利要求1所述的MOS管電阻器，其特征在于，該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的源極，該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的漏極，該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的源極，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的漏極。

3.根據權利要求1所述的MOS管電阻器，其特征在于，該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的漏極，該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的源極，該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的漏極，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的源極。

4.一種MOS管電阻器，其特征在于，包括第一電阻端子、第二電阻端子、以及位于該第一電阻端子和第二電阻端子之間且相互并聯的第一單向導通電阻單元以及第二單向導通電阻單元，該第一單向導通電阻單元包括第一PMOS管和第二PMOS管，該第二單向導通電阻單元包括第三PMOS管和第四PMOS管，其中，

該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第一電阻端子相連接，該第一PMOS管的柵極和該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接；

該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第二PMOS管的柵極和該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極和該第二電阻端子相連接；

該第三PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第二電阻端子相連接，該第三PMOS管的柵極和該第三PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接；

該第四PMOS管的第一P摻雜區域引出極和該第三PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第四PMOS管的柵極和該第四PMOS管的第二P摻雜區域引出極相連接，該第四PMOS管的第二P摻雜區域引出極和該第一電阻端子相連接；

并且，該第一PMOS管的襯底引出極、該第二PMOS管的襯底引出極、該第三PMOS管的襯底引出極和該第四PMOS管的襯底引出極保持電位浮空。

5.根據權利要求4所述的MOS管電阻器，其特征在于，該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的源極，該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的漏極，該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的源極，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的漏極，該第三PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第三PMOS管的源極，該第三PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第三PMOS管的漏極，該第四PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第四PMOS管的源極，該第四PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第四PMOS管的漏極。

6.根據權利要求4所述的MOS管電阻器，其特征在于，該第一PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的漏極，該第一PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第一PMOS管的源極，該第二PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的漏極，該第二PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第二PMOS管的源極，該第三PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第三PMOS管的漏極，該第三PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第三PMOS管的源極，該第四PMOS管的第一P摻雜區域引出極為該第四PMOS管的漏極，該第四PMOS管的第二P摻雜區域引出極為該第四PMOS管的源極。