[實用新型]采用電磁加熱的PVD設(shè)備有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220724407.5 | 申請日: | 2012-12-25 |
| 公開(公告)號: | CN203128645U | 公開(公告)日: | 2013-08-14 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 王奉瑾 | 申請(專利權(quán))人: | 王奉瑾 |
| 主分類號: | C23C14/26 | 分類號: | C23C14/26 |
| 代理公司: | 深圳中一專利商標(biāo)事務(wù)所 44237 | 代理人: | 張全文 |
| 地址: | 528400 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 采用 電磁 加熱 pvd 設(shè)備 | ||
1.一種采用電磁加熱的PVD設(shè)備,包括殼體,所述殼體具有密封的腔體,所述殼體內(nèi)設(shè)置有將所述腔體分隔為上腔和下腔的密封裝置,用于容放靶材并將所述靶材蒸發(fā)形成鍍膜的蒸發(fā)舟設(shè)置于所述下腔內(nèi),所述殼體兩相對的側(cè)面分別開設(shè)有供待鍍材料進(jìn)入的進(jìn)料口、供所述待鍍材料離開的出料口,其特征在于,所述下腔體內(nèi)還設(shè)置有用于加熱所述靶材的電磁加熱組件,所述電磁加熱組件套設(shè)于所述蒸發(fā)舟的外周。?
2.如權(quán)利要求1所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述電磁加熱組件包括基架和纏繞于所述基架的線圈,所述線圈電連接有導(dǎo)線,所述導(dǎo)線的一端電連接于所述線圈,另一端延伸至殼體外且與外部電源電連接。?
3.如權(quán)利要求2所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述基架開設(shè)有用于容納所述蒸發(fā)舟的安裝孔,所述安裝孔的形狀與所述蒸發(fā)舟的外形相匹配,所述蒸發(fā)舟設(shè)置于所述安裝孔內(nèi),所述蒸發(fā)舟上設(shè)置有容納所述靶材的容納腔。?
4.如權(quán)利要求3所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述下腔內(nèi)于所述待鍍材料的兩側(cè)設(shè)置有用于改變所述靶材受熱后形成的鍍膜粒子的運(yùn)動軌跡的磁極,所述磁極相對設(shè)置且設(shè)置有兩個。?
5.如權(quán)利要求2所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述基架和所述蒸發(fā)舟均連接有用于驅(qū)動所述基架和所述蒸發(fā)舟相對所述待鍍材料移動的驅(qū)動裝置,所述驅(qū)動裝置包括具有螺紋的絲桿及驅(qū)動所述絲桿轉(zhuǎn)動的第一電機(jī),所述基架和所述蒸發(fā)舟均開設(shè)有與所述絲桿相匹配的螺紋孔,所述絲桿穿設(shè)于所述螺紋孔內(nèi)。?
6.如權(quán)利要求1所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述進(jìn)料口處和所述出料口處均設(shè)置有所述密封裝置,所述密封裝置包括彈性按壓于所述待鍍材料一面的第一滾筒和彈性按壓于所述待鍍材料另一面的第二滾筒,所述第一滾筒或所述第二滾連接有第二電機(jī)。?
7.如權(quán)利要求6所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述殼體內(nèi)于所述進(jìn)料口處和所述出料口處分別相對設(shè)有上支撐塊和下支撐塊,所述上支撐塊和下支撐塊分別設(shè)有部分收容所述第一滾筒和第二滾筒的弧形收容槽,各所述弧形收容槽表面分別與所述第一滾筒和第二滾筒的主體部相互接觸。?
8.如權(quán)利要求7所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,各所述上支撐塊和下支撐塊開設(shè)有循環(huán)冷卻槽道,各所述循環(huán)冷卻槽道包括進(jìn)水管道和出水管道,各所述進(jìn)水管道連接有進(jìn)水三通管,所述進(jìn)水三通管具有第一進(jìn)水端、第二進(jìn)水端和第三進(jìn)水端,所述第一進(jìn)水端和所述第二進(jìn)水端分別與各相對的所述進(jìn)水管道連接,所述第三進(jìn)水端連接于外部進(jìn)水機(jī)構(gòu);各所述出水管道連接有出水三通管,所述出水三通管具有第一出水端、第二出水端和第三出水端,所述第一出水端和所述第二出水端分別與各相對的所述出水管道連接,所述第三出水端連接于外部出水機(jī)構(gòu)。?
9.如權(quán)利要求8所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,所述第三進(jìn)水端伸出于所述殼體外,所述殼體設(shè)置有供所述第三進(jìn)水端穿過的第一通孔,所述第三出水端伸出于所述殼體外,所述殼體設(shè)置有供所述第三出水端穿過的第二通孔。?
10.如權(quán)利要求1至9中任意一項所述的采用電磁加熱的PVD設(shè)備,其特征在于,采用電磁加熱的PVD設(shè)備還設(shè)置有主控器,用于監(jiān)控鍍膜厚度的膜厚監(jiān)控裝置、用于測溫的溫測裝置、用于測壓的測壓裝置和用于監(jiān)控腔體內(nèi)部環(huán)境的視頻監(jiān)控裝置,所述膜厚監(jiān)控裝置、所述溫測裝置、所述測壓裝置和所述視頻監(jiān)控裝置均分別電連接于所述主控器。?
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C23C 對金屬材料的鍍覆;用金屬材料對材料的鍍覆;表面擴(kuò)散法,化學(xué)轉(zhuǎn)化或置換法的金屬材料表面處理;真空蒸發(fā)法、濺射法、離子注入法或化學(xué)氣相沉積法的一般鍍覆
C23C14-00 通過覆層形成材料的真空蒸發(fā)、濺射或離子注入進(jìn)行鍍覆
C23C14-02 .待鍍材料的預(yù)處理
C23C14-04 .局部表面上的鍍覆,例如使用掩蔽物
C23C14-06 .以鍍層材料為特征的
C23C14-22 .以鍍覆工藝為特征的
C23C14-58 .后處理





