[實用新型]金屬有機化學氣相沉積設備

有效

• 申請號: 201220711704.6
• 申請日: 2012-12-20
• 公開（公告）號: CN203096168U
• 公開（公告）日: 2013-07-31
• 發明（設計）人: 梁秉文
• 申請（專利權）人: 光達光電設備科技（嘉興）有限公司
• 主分類號: C23C16/458
• 分類號: C23C16/458
• 代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237
• 代理人: 鄭瑋

本實用新型涉及半導體制造設備技術領域，特別涉及一種襯底承載裝置及應用所述襯底承載裝置的金屬有機化學氣相沉積設備。?

自GaN基第三代半導體材料的興起，藍光LED研制成功，LED的發光強度和白光發光效率不斷提高。LED被認為是下一代進入通用照明領域的新型固態光源，因此得到廣泛關注；而金屬有機化學氣相沉積(MOCVD)設備是生長LED外延片的重要設備。?

請參閱圖1，圖1是現有技術的一種MOCVD設備的剖面結構示意圖。所述MOCVD設備1包括腔體11、設置于所述腔體11頂部的進氣裝置12、設置于所述腔體11底部的襯底承載裝置13和加熱器14；所述進氣裝置12優選的為噴淋頭組件。所述進氣裝置12與所述襯底承載裝置13相對設置。所述加熱器14設置于所述襯底承載裝置13背離所述進氣裝置12的一側，所述加熱器14用于加熱所述襯底承載裝置13，進而加熱設置在所述襯底承載裝置12上的待處理襯底15。?

所述襯底承載裝置13包括面向所述進氣裝置12的支撐面131。請同時參閱圖2，圖2是圖1所示襯底承載裝置13的俯視結構示意圖。所述支撐面131包括若干用于收容待處理襯底15的凹槽132。所述待處理襯底15在所述凹槽132被加熱。?

請參閱圖3，圖3是圖1所示凹槽132結構的放大示意圖。所述凹槽132包括底面133和側壁134。所述底面133平行所述支撐面131；所述側壁134圍繞所述底面133。所述待處理襯底15設置在所述凹槽132中時，所述待處理襯底15支撐在所述底面133上，所述側壁134圍繞在所述待處理襯底15的周圍。?

在所述加熱器14加熱時，所述凹槽132的底面133和側壁134將具有基本相同的溫度。所述凹槽132的底面133將對所述待處理襯底15整體進行加熱；而所述凹槽132的側壁134由于圍繞在所述待處理襯底15的周圍，因此，所述凹槽132的側壁134只對所述待處理襯底的15的邊緣區域加熱，使得襯底的15的邊緣區域溫度較高。造成所述襯底的溫度分布不均勻。?

因此，有必要研發一種能夠使得待處理襯底溫度分布均勻的襯底承載裝置和使用所述襯底承載裝置的金屬有機化學氣相沉積設備。?

因此，有必要研發一種能夠使得待處理襯底溫度分布均勻的襯底承載裝置和使用所述襯底承載裝置的金屬有機化學氣相沉積設備。?

使用現有技術的襯底承載裝置承載和加熱襯底會使得待處理襯底溫度分布不均勻，因此，本實用新型提供一種能解決上述問題的襯底承載裝置。?

一種襯底承載裝置，其包括承載板，所述承載板包括支撐面，待處理襯底設置于所述支撐面，所述承載裝置進一步包括多個定位銷，所述定位銷設置于所述支撐面，所述定位銷用于限定待處理襯底在所述支撐面上的位置。?

本實用新型同時提供一種使用上述襯底承載裝置的金屬有機化學氣相沉積設備。?

一種金屬有機化學氣相沉積設備，其包括腔體，設置在所述腔體上部的進氣裝置、設置在所述腔體底部的襯底承載裝置以及加熱器，所述襯底承載裝置與所述進氣裝置相對設置，所述加熱器加熱所述襯底承載裝置，其中所述襯底承載裝置為如上所述的襯底承載裝置。?

與現有技術相比較，本實用新型的襯底承載裝置中，待處理襯底直接放置在所述襯底承載裝置的支撐面上，所述待處理襯底通過定位銷在所述支撐面上定位，如此，所述襯底承載裝置通過所述支撐面對所述待處理襯底整體進行加熱，所述待處理襯底邊緣區域的溫度沒有了圍繞在其周圍的側壁的加熱影響，因此，所述待處理襯底的溫度分布均勻。本實用新型的金屬有機化學氣相沉積設備具有基本相同的技術效果。?

圖1是現有技術的一種MOCVD裝置設備的剖面結構示意圖。?

圖2是圖1所示襯底承載裝置的俯視結構示意圖。?

圖2是圖1所示襯底承載裝置的俯視結構示意圖。?

圖3是圖1所示凹槽132結構的放大示意圖。?

圖4是本實用新型MOCVD設備第一實施方式的剖面結構示意圖?

圖5是圖4所示襯底承載裝置第一種襯底排布方式的俯視結構示意圖。?

圖6是圖4所示襯底承載裝置第二種襯底排布方式的俯視結構示意圖。?

圖7是圖4所示襯底承載裝置第三種襯底排布方式的俯視結構示意圖。?

圖8是圖4所示襯底承載裝置第四種襯底排布方式的俯視結構示意圖。?

圖9是圖4所示襯底承載裝置結構部分放大示意圖。?