[實用新型]優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器

有效

• 申請號: 201220708448.5
• 申請日: 2012-12-18
• 公開（公告）號: CN202996475U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 黃惠芬;葉茂
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01F17/04
• 分類號: H01F17/04;H01F27/28;H01F27/32
• 代理公司: 廣州市華學知識產權代理有限公司 44245
• 代理人: 蔡茂略

1.一種優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，包括E型磁芯、第一I型磁芯以及用于增大差模漏電感的第二I型磁芯，其特征在于，還包括兩個相同結構的共模繞組單元，所述共模繞組單元對稱設置在第二I型磁芯的兩側，所述共模繞組單元共分為五層，從上至下依次是上層共模電感導體層，低介電常數絕緣層，下層共模電感導體層，高介電常數電介質層，以及接地導體層。

2.根據權利要求1所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述上層共模電感導體層、下層共模電感導體層、以及接地導體層均采用銅質螺旋繞組形式。

3.根據權利要求2所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，銅質螺旋繞組相鄰兩線圈間距最小加工精度為0.5mm。

4.根據權利要求1或2所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述上層共模電感導體層、下層共模電感導體層通過通孔于內部連接。

5.根據權利要求1所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述低介電常數絕緣層為介電常數3.6的kapton薄膜。

6.根據權利要求5所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述低介電常數絕緣層的厚度為0.05mm。

7.根據權利要求1所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述高介電常數電介質層為相對介電常數84的陶瓷基片。

8.根據權利要求7所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，所述高介電常數電介質層厚度為0.15mm。

9.根據權利要求1所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，每個共模電感繞組的厚度為0.3mm，導體寬度為1.2mm，接地繞組的厚度為0.1mm。

10.根據權利要求1所述的優化接地繞組布局以提高噪聲抑制性能的集成EMI濾波器，其特征在于，上層共模電感導體層與磁芯及其關于第二I型磁芯對稱位置的共模電感導體層與磁芯之間用低介電常數介質kapton填充。