[實用新型]四針彈性三步晶粒頂出機構有效
| 申請號: | 201220682249.1 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN202977394U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 王淑香;王巖 | 申請(專利權)人: | 蘇州密卡特諾精密機械有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 蘇州創元專利商標事務所有限公司 32103 | 代理人: | 馬明渡 |
| 地址: | 215123 江*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 彈性 晶粒 機構 | ||
技術領域
本實用新型涉及集成電路封裝領域,具體涉及一種應用于晶粒粘貼過程中的晶粒頂出機構,主要應用于晶粒真空拾取環節。
背景技術
在集成電路(IC)的制造過程中,晶粒粘貼是一個重要工序,即,在晶圓切割后,將切出的晶粒從載體上取出并搬運至封裝位進行焊接封裝。
在晶粒取出的過程中,需要用到一種頂出機構,如圖1所示,該頂出機構與一真空吸嘴1配合,以將晶粒2向上從載體中取出,該頂出機構包括一端蓋3以及一驅動結構4,該驅動結構4設于端蓋3的下部,驅動結構4上固設有若干頂針5;該端蓋3以承載所述晶粒2,端蓋3上布設有若干通孔6,通過該若干通孔6的設置,一方面能藉由系統產生的一負壓,將晶粒2穩固定位于端蓋3上,另一方面則能夠使所述頂針5得以通過該通孔6伸出,進而頂起所述晶粒2以利真空拾取。其中,如圖2所示,所述頂針5的排布可以根據需要設置,其數量的多少則取決于晶粒2的大小,并成正比關系。存在的問題是:由于行業的發展趨勢,晶粒的厚度要求更加薄型化,當厚度達到一定值(小于或等于10mil)時,會發生晶粒被頂針刺穿的問題。
因此,如何解決上述現有技術存在的問題,便成為本實用新型所要研究的課題。
發明內容
本實用新型提供一種四針彈性三步晶粒頂出機構,其目的在于解決現有技術全頂針的晶粒頂出機構容易刺穿薄晶粒的問題。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案是:一種四針彈性三步晶粒頂出機構,包括一端蓋以及一驅動結構,還包括一頂出結構,其中:
所述端蓋上布設有若干氣孔,且端蓋的中部開設有一通孔;
所述驅動結構包括一底座、一主軸、一定位塊、一第一載體、一第二載體、一第一彈簧、一第二彈簧以及一定位銷;所述底座的中心與主軸的底端固定,底座的下部與系統的一傳動部份定位連接;所述主軸的頂端開設有一與主軸同軸的裝配孔;所述定位塊套設于該主軸的外部,與主軸滑動連接,并與底座同軸設置;所述定位塊與底座之間通過所述第一彈簧彈性定位連接,且該定位塊與底座之間具有一第一壓縮空間;該第一彈簧的一端抵靠于定位塊的下部,另一端抵靠于該底座的上部;所述第一載體套設于主軸外部,與主軸滑動連接,第一載體下部的外周壁與所述定位塊緊配合;所述第二載體套設于第一載體上部的外周壁,與第一載體滑動連接,且第二載體與定位塊之間通過所述第二彈簧彈性定位連接,且該第二載體與定位塊之間具有一第二壓縮空間;該第二彈簧的一端抵靠于第二載體上,另一端抵靠于定位塊的上部;所述定位銷設于第一載體、定位塊和底座之間,以在周向上定位三者;
所述頂出結構由內而外依次由一頂出平臺、一頂出框體以及至少四個頂出柱組成;其中,所述頂出平臺通過所述主軸的裝配孔與主軸固定連接,所述頂出框體與所述第一載體固定連接,所述至少四個頂出柱與所述第二載體固定連接;所述頂出結構的頂出平臺、頂出框體以及頂出柱設于所述端蓋的通孔內,且常態時不凸出于端蓋的表面;
所述第一彈簧的彈性系數大于第二彈簧。
上述技術方案中的有關內容解釋如下:
1.上述方案中,所述氣孔用以藉由系統產生的一負壓,將晶粒穩固定位于端蓋上。
2.上述方案中,所述“底座的下部與系統的一傳動部份定位連接”,以通過該傳動部分驅動該頂出機構的工作。
3.上述方案中,所述“定位塊與底座之間具有一第一壓縮空間”,以當該頂出機構工作時,可以先下移第二載體,進而將所述頂出平臺和頂出框體上移;“第二載體與定位塊之間具有一第二壓縮空間”,以在第二載體下移后能繼續下移第一載體,進而上移進一步所述頂出平臺。
4.上述方案中,所述第一彈簧的彈性系數大于第二彈簧,這樣便能夠先壓縮第一壓縮空間下移第二載體,再壓縮第二壓縮空間下移第一載體。
5.上述方案中,還包括一第一襯套,該第一襯套設于主軸與第一載體之間,通過其內壁與主軸滑動連接,通過其外壁與第一襯套緊配合。
6.上述方案中,還包括一第二襯套,該第二襯套設于第一載體與第二載體之間,通過其內壁與第一載體滑動連接,通過其外壁與第二襯套緊配合。
本實用新型的工作原理及優點如下:
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H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





