[實(shí)用新型]一種校準(zhǔn)裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220681895.6 | 申請(qǐng)日： | 2012-12-11 |
| 公開(kāi)（公告）號(hào)： | CN202957229U | 公開(kāi)（公告）日： | 2013-05-29 |
| 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人： | 周琦;桂鯤 | 申請(qǐng)（專利權(quán)）人： | 中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司 |
| 主分類號(hào)： | H01L21/68 | 分類號(hào)： | H01L21/68 |
| 代理公司： | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人： | 余明偉 |
| 地址： | 100176 北京市大興*** | 國(guó)省代碼： | 北京;11 |
| 權(quán)利要求書(shū)： | 查看更多 | 說(shuō)明書(shū)： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關(guān)鍵詞： | 一種 校準(zhǔn) 裝置 | ||
1.一種校準(zhǔn)裝置，其特征在于，所述校準(zhǔn)裝置至少包括：
升降環(huán)，其包括環(huán)體和支柱，所述支柱支撐所述環(huán)體；所述環(huán)體上設(shè)置有鎖緊件；
圓盤，其中心具有孔體且邊緣設(shè)置有觸手；所述觸手架于所述鎖緊件上；所述圓盤與觸手彈性連接；
加熱器，位于升降環(huán)下方，校準(zhǔn)后所述加熱器與所述升降環(huán)、圓盤同心。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述環(huán)體的內(nèi)徑大于所述圓盤的直徑。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述圓盤的材料為有機(jī)玻璃。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述觸手邊緣呈等速螺旋曲線形。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述鎖緊件數(shù)量至少為三個(gè)且均勻裝設(shè)于所述環(huán)體上。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述觸手表面設(shè)有刻度。
7.根據(jù)權(quán)利要求4或6所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述觸手以接觸式架于所述鎖緊件上。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的校準(zhǔn)裝置，其特征在于：所述刻度的顯示范圍為200~300mm。
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H01L 半導(dǎo)體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
