[實用新型]一種校準(zhǔn)裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220681895.6 | 申請日: | 2012-12-11 |
| 公開(公告)號: | CN202957229U | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 周琦;桂鯤 | 申請(專利權(quán))人: | 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/68 | 分類號: | H01L21/68 |
| 代理公司: | 上海光華專利事務(wù)所 31219 | 代理人: | 余明偉 |
| 地址: | 100176 北京市大興*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 校準(zhǔn) 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種半導(dǎo)體制造領(lǐng)域,特別是涉及一種校準(zhǔn)裝置。
背景技術(shù)
在半導(dǎo)體制造工藝中,金屬化工藝是必不可少的,需要用金屬系統(tǒng)來連接各個器件和不同層。所謂金屬化工藝是芯片制造過程中,在絕緣介質(zhì)薄膜上淀積金屬薄膜,以及隨后刻印圖形以便形成互連金屬線和集成電路的孔填充塞的過程。而鋁作為傳統(tǒng)的互連導(dǎo)線,因其具有低電阻率以及與硅和硅片制造工藝的兼容性而被作為互連材料廣泛應(yīng)用。其中,物理氣相沉積(PVD)是金屬鍍膜工藝中常用的方法,依原理可分為蒸鍍和濺鍍。
由于鋁是在高溫高直流腔體中進(jìn)行濺射,當(dāng)工藝腔連續(xù)生產(chǎn)時,大功率的等離子體會產(chǎn)生大量的熱,引起腔體內(nèi)的零部件特別是和晶圓直接接觸的部件溫度持續(xù)升高。此時,之前鍍在零部件上的鋁會有軟化的現(xiàn)象,甚至在局部有融化的可能。如果晶圓與升降環(huán)及加熱器的位置發(fā)生偏移,這些鋁有可能正好鍍到零部件和晶圓接觸的地方,這樣粘片就發(fā)生了。對于發(fā)生了粘片的晶圓,根據(jù)所粘程度的不同,輕者造成該片良率降低,重者導(dǎo)致報廢。此外,對于發(fā)生了粘片的工藝腔,必須由工程師對其進(jìn)行保養(yǎng)和更換零部件,從而縮短了機臺的平均故障間隔,降低了機臺的可利用率,直接影響了生產(chǎn)進(jìn)度。另外,如果加熱器和升降環(huán)的位置在安裝時就發(fā)生偏移,還會使晶圓表面濺鍍的金屬薄膜厚度不均,影響產(chǎn)品良率。因此,在進(jìn)入工藝腔進(jìn)行鍍膜之前必須有一個校準(zhǔn)的步驟,傳統(tǒng)的校準(zhǔn)裝置如圖1所示,由于用于校準(zhǔn)的圓盤3A與升降環(huán)1A上鎖緊件2A之間有一段位移,在校準(zhǔn)的過程中圓盤3A會來回移動導(dǎo)致找不準(zhǔn)升降環(huán)1A和加熱器7A的中心位置。因此,設(shè)計一種新型校準(zhǔn)裝置實屬必要。
實用新型內(nèi)容
鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種校準(zhǔn)裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中晶圓粘片及厚度不均等的問題。
為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種校準(zhǔn)裝置,所述校準(zhǔn)裝置至少包括:升降環(huán),其包括環(huán)體和支柱,所述支柱支撐所述環(huán)體;所述環(huán)體上設(shè)置有鎖緊件;圓盤,其中心具有孔體且邊緣設(shè)置有觸手;所述觸手架于所述鎖緊件上;所述圓盤與觸手彈性連接;加熱器,位于升降環(huán)下方,校準(zhǔn)后所述加熱器與所述升降環(huán)、圓盤同心。
優(yōu)選地,所述環(huán)體的內(nèi)徑大于所述圓盤的直徑。
優(yōu)選地,所述圓盤的材料為有機玻璃。
優(yōu)選地,所述觸手邊緣呈等速螺旋曲線形。
優(yōu)選地,所述鎖緊件數(shù)量至少為三個且均勻裝設(shè)于所述環(huán)體上。
優(yōu)選地,所述觸手表面有刻度顯示。
優(yōu)選地,所述觸手以接觸式架于所述鎖緊件上。
優(yōu)選地,所述刻度顯示范圍為200~300mm。
如上所述,本實用新型的一種校準(zhǔn)裝置,具有以下有益效果:本實用新型提供的校準(zhǔn)裝置能夠精確地定位晶圓、升降環(huán)和加熱器的中心,使得三點同心,減少鍍膜工藝中晶圓粘片和鍍層薄膜厚度不均的問題。此裝置結(jié)構(gòu)簡單,操作方便,適用于工業(yè)化生產(chǎn)過程。
附圖說明
圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)的校準(zhǔn)裝置的示意圖。
圖2顯示為本實用新型的校準(zhǔn)裝置的主視圖。
圖3顯示為本實用新型的校準(zhǔn)裝置的觸手的示意圖。
圖4顯示為本實用新型的校準(zhǔn)裝置的俯視圖。
元件標(biāo)號說明
具體實施方式
以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式,熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。
請參閱附圖2至4。須知,本說明書所附圖式所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下,均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中間”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
如圖2和4所示,本實用新型提供一種校準(zhǔn)裝置,所述校準(zhǔn)裝置至少包括:升降環(huán)1、圓盤3、及加熱器7。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





