[實用新型]集成電路和電壓選擇電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220669158.4 | 申請日: | 2012-12-05 |
| 公開(公告)號: | CN203193606U | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設計)人: | 陳利杰;孫俊岳;宋振宇 | 申請(專利權)人: | 艾爾瓦特集成電路科技(天津)有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0185 | 分類號: | H03K19/0185 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人: | 酆迅 |
| 地址: | 300457 天津市塘沽區(qū)經(jīng)濟*** | 國省代碼: | 天津;12 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 集成電路 電壓 選擇 電路 | ||
技術領域
本實用新型的實施方式涉及集成電路領域,更具體地,涉及一種用于在具有多個電壓域的集成電路(IC)啟動期間防止本體漏電流的電路。
背景技術
隨著集成電路的高速發(fā)展,電源管理IC在電子設備中的使用越來越廣泛,起著電能變換、分配、檢測及其他電能管理的作用。考慮到電能需要變換的跨度通常很大,一般而言,在電源IC中存在多個不同的電壓域(voltage?domain),各個電壓域工作在不同的電源電壓(在此也稱為域電壓)下,按照時間先后順序建立并用于實現(xiàn)電能的分級管理。
例如,手機充電器是一種常見的電源管理IC。一種常用的手機充電器連接于220V的市電和手機之間,用于將220V的交流電變換成適于為手機充電的5V直流電。這種手機充電器通常包括兩個電壓域,由先建立的第一電壓域將220V的交流電變換成24V的直流電,再由后建立的第二電壓域將24V的直流電變換成5V的直流電,該5V的直流電輸出給手機用于進行充電。
在各個電壓域的啟動過程中,如果較早啟動的電壓域中生成的信號(例如在較遲啟動的電壓域尚未完全啟動之前)流入到較遲啟動的電壓域中(源極或漏極),則在該信號流入的源極(或漏極)與本體(bulk)之間往往存在漏電流(leakage?current)。這將在IC中造成嚴重的問題。
實用新型內(nèi)容
為了解決現(xiàn)有技術中存在的上述問題,本說明書提出如下方案。
根據(jù)本實用新型的第一方面,提供一種集成電路,包括:第一電壓域,可操作以建立第一域電壓;第二電壓域,可操作以建立第二域電壓;以及電壓選擇電路,可操作以將建立中的或已經(jīng)建立的所述第一域電壓和建立中的或已經(jīng)建立的所述第二域電壓中的較大者輸出作為所述第二電壓域的體電壓。
在一個實施方式中,所述第一電壓域先于所述第二電壓域啟動。
在一個實施方式中,所述第二電壓域中包括一個或多個晶體管,并且所述第二電壓域通過所述晶體管中的一個耦合到所述第一電壓域。在優(yōu)選實施方式中,其中所述第二電壓域通過所述晶體管中的一個的源極或漏極耦合到所述第一電壓域。
在一個實施方式中,所述電壓選擇電路包括:第一晶體管和第二晶體管,其中所述第一晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第一輸入端,所述第一晶體管的柵極耦合到所述第二晶體管的源極,其中所述第二晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第二輸入端,所述第二晶體管的柵極耦合到所述第一晶體管的源極;以及其中所述第一晶體管的漏極和本體與所述第二晶體管的漏極和本體耦合到所述電壓選擇電路的輸出端。
在一個實施方式中,所述一個或多個晶體管、所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一個或多個為PMOS晶體管。
根據(jù)本實用新型的第二方面,提供一種電壓選擇電路,包括:第一晶體管和第二晶體管;其中所述第一晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第一輸入端,所述第一晶體管的柵極耦合到所述第二晶體管的源極;其中所述第二晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第二輸入端,所述第二晶體管的柵極耦合到所述第一晶體管的源極;以及其中所述第一晶體管的漏極和本體與所述第二晶體管的漏極和本體耦合到所述電壓選擇電路的輸出端。
在一個實施方式中,所述第一晶體管和/或所述第二晶體管為PMOS晶體管。
附圖說明
結合附圖并參考以下詳細說明,本實用新型各實施方式的特征、優(yōu)點及其他方面將變得更加明顯。
圖1是示出了現(xiàn)有的電源管理IC100的示意圖。
圖2是示出了根據(jù)本實用新型示例性實施方式的、用于防止漏電流的集成電路200示意圖。
圖3是示出了根據(jù)本實用新型示例性實施方式的、用于防止漏電流的電壓選擇電路300的示意圖。
具體實施方式
下面將參考若干示例性實施方式來描述本實用新型的原理和精神。應當理解,給出這些實施方式僅僅是為了使本領域技術人員能夠更好地理解進而實現(xiàn)本實用新型,而并非以任何方式限制本實用新型的范圍。
圖1是示出了現(xiàn)有的電源管理IC100的示意圖。圖1示意性地圖示了兩個電壓域D1和D2。如圖1所示,D2通過一個晶體管(圖1中示出為PMOS晶體管,但不作為對本實用新型的限制)作為接口,耦合到D1。具體地,來自D1的信號輸入到D2中作為接口的晶體管的源極(圖1中示出為源極,但完全可能連接到漏極),該晶體管的漏極再輸出供第二電壓域中其他器件使用的電壓。
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