[實用新型]集成電路和電壓選擇電路有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220669158.4 | 申請日： | 2012-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN203193606U | 公開（公告）日： | 2013-09-11 |
| 發(fā)明（設計）人： | 陳利杰;孫俊岳;宋振宇 | 申請（專利權）人： | 艾爾瓦特集成電路科技（天津）有限公司 |
| 主分類號： | H03K19/0185 | 分類號： | H03K19/0185 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 酆迅 |
| 地址： | 300457 天津市塘沽區(qū)經(jīng)濟*** | 國省代碼： | 天津;12 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 電壓 選擇 電路 | ||
1.一種集成電路，包括：?
第一電壓域，可操作以建立第一域電壓；?
第二電壓域，可操作以建立第二域電壓；以及?
電壓選擇電路，可操作以將建立中的或已經(jīng)建立的所述第一域電壓和建立中的或已經(jīng)建立的所述第二域電壓中的較大者輸出作為所述第二電壓域的體電壓。?
2.根據(jù)權利要求1所述的電路，其中所述第一電壓域先于所述第二電壓域啟動。?
3.根據(jù)權利要求1所述的電路，其中，所述第二電壓域中包括一個或多個晶體管，并且所述第二電壓域通過所述晶體管中的一個耦合到所述第一電壓域。?
4.根據(jù)權利要求3所述的電路，其中所述第二電壓域通過所述晶體管中的一個的源極或漏極耦合到所述第一電壓域。?
5.根據(jù)權利要求1所述的電路，其中，所述電壓選擇電路包括第一晶體管和第二晶體管，?
其中所述第一晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第一輸入端，所述第一晶體管的柵極耦合到所述第二晶體管的源極，?
其中所述第二晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第二輸入端，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第一晶體管的源極；以及?
其中所述第一晶體管的漏極和本體與所述第二晶體管的漏極和本體耦合到所述電壓選擇電路的輸出端。?
6.根據(jù)權利要求3或4所述的電路，其中所述一個或多個晶體管為PMOS晶體管。?
7.根據(jù)權利要求5所述的電路，其中所述第一晶體管和所述第二晶體管中的一個或多個為PMOS晶體管。?
8.一種電壓選擇電路，包括：第一晶體管和第二晶體管；?
其中所述第一晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第一輸?入端，所述第一晶體管的柵極耦合到所述第二晶體管的源極；?
其中所述第二晶體管的源極耦合到所述電壓選擇電路的第二輸入端，所述第二晶體管的柵極耦合到所述第一晶體管的源極；以及?
其中所述第一晶體管的漏極和本體與所述第二晶體管的漏極和本體耦合到所述電壓選擇電路的輸出端。?
9.根據(jù)權利要求8所述的電路，其中所述第一晶體管和/或所述第二晶體管為PMOS晶體管。?
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