[實用新型]功率半導體模塊

有效

• 申請號: 201220665757.9
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN203134776U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 斯特凡·魏斯;賴納·波普
• 申請（專利權）人: 賽米控電子股份有限公司
• 主分類號: H01L23/053
• 分類號: H01L23/053
• 代理公司: 中原信達知識產權代理有限責任公司 11219
• 代理人: 楊靖;車文

1.功率半導體模塊，其包括功率電子電路和帶殼體蓋（13）的殼體（11），其中，所述殼體蓋（13）由電的和/或光學的連接機構（15、16）貫穿插接，其特征在于，在所述殼體（11）的上端側（11o）與所述殼體蓋（13）的下端面之間布置有彈性的密封裝置（14），該密封裝置具有基板（14p）和一個或多個布置在所述基板（14p）上的、橫截面分別呈梯形的密封元件(14e)，其中，所述密封元件（14e）分別具有帶有至少一個通孔（14d）的頂板。

2.根據權利要求1所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述密封元件（14e）與所述基板（14p）一件式地構造。

3.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述密封元件（14e）與所述殼體蓋（13）的橫截面呈梯形的凹槽相對應。

4.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述密封元件（14e）構造為空心體。

5.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述連接機構（15、16）線材狀地構造有圓形的橫截面。

6.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述連接機構（15、16）帶狀地構造有矩形的橫截面。

7.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述至少一個通孔（14d）具有與貫穿插接所述至少一個通孔（14d）的所述連接機構（15、16）的橫截面相對應的橫截面。

8.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述密封元件（14e）具有狹縫地構造，其中，至少一條狹縫（14s）從所述密封元件（14e）的腳區段出發并終止于所述至少一個通孔（14d）。

9.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述通孔（14d）的內直徑小于所述連接機構（15、16）的外直徑。

10.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述殼體蓋（13）在它的下端側具有密封接片。

11.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述密封裝置（14）在所述殼體蓋（13）的下端側與所述殼體（11）的上端側之間布置有緩沖座。

12.根據權利要求1或2所述的功率半導體模塊，其特征在于，所述殼體（11）具有環繞的邊緣凸緣，在所述邊緣凸緣的內部空間中能夠放入所述密封元件（14）的基板（14p）。