[實用新型]TSC裝置中的可控硅RC保護回路

有效

• 申請號: 201220664655.5
• 申請日: 2012-12-05
• 公開（公告）號: CN202997580U
• 公開（公告）日: 2013-06-12
• 發明（設計）人: 金曉;陳瑜;姜慧慧
• 申請（專利權）人: 浙江瑞泰電力電子有限公司
• 主分類號: H02J3/18
• 分類號: H02J3/18;H02H9/04
• 代理公司: 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109
• 代理人: 尉偉敏

技術領域

本實用新型涉及一種TSC裝置，尤其涉及一種吸收電壓效果好、能更好保護晶閘管的TSC裝置中的可控硅RC保護回路。?

背景技術

現代工業電力電子裝置的應用日益廣泛，使得諧波和無功補償的問題日益突出，補償工業負載無功功率的同時，必須考慮負載產生的諧波影響，TSC（晶閘管投切電容）裝置就能解決補償不足的問題。目前TSC裝置常用的投切器大多采用晶閘管交流電壓過零投切策略，即在晶閘管兩端交流電壓過零時刻使晶閘管導通，從而使補償電容連接到電網兩端，實現對電網的無功功率補償。TSC裝置可平衡無功功率，穩定電壓，諧波治理的效果明顯，采用專用設計軟件分析采集信號，自動驅動晶閘管以控制濾波支路的投入與切除。TSC裝置的投切開關為晶閘管模塊，一方面快速跟蹤系統負荷無功變化，實時動態響應投切，另一方面，由于晶閘管過流過壓能力很差，如果不采取可靠的保護措施是不能正常工作的。若電壓上升率過大，超過了晶閘管的電壓上升率的值，則晶閘管會在無門極信號的情況下開通；如果晶閘管在關斷時，陽極電壓上升速度太快，就有可能造成門極在沒有觸發信號的情況下，晶閘管誤導通現象，即常說的硬開通，這是不允許的。因此，對加到晶閘管上的陽極電壓上升率應有一定的限制。為了限制電路電壓上升率過大，確保晶閘管安全運行，通常在晶閘管兩端并聯RC阻容電路，利用電容兩端電壓不能突變的特性來限制電壓上升率。

電路過電壓的存在除電網系統上的諧波電壓外，還由于裝置開關的合分產生過電壓，TSC裝置因采用電壓過零投切，所以不存在合閘過電壓，分閘過電壓主要是與感容元件的自由振蕩類似的截流過電壓。截流過電壓與回路的截流幅值、對地等效電容和電抗器電感量有關，回路中在電抗上產生的過電壓是主要的過電壓因素。因此，目前采用的將RC阻容電路并聯在晶閘管上的結構無法解決截流過電壓問題，不能對晶閘管起到有效的保護作用。?

發明內容

本實用新型主要解決原有TSC裝置采用在晶閘管上并聯RC阻容電路的結構，吸收回路中的過電壓效果差，不能對晶閘管起到有效的保護作用的技術問題；提供一種TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其能很好地解決由電抗器產生的截流過電壓，即回路中的主要過電壓，從而提高對晶閘管的保護作用，同時加強絕緣，延長電阻電容使用壽命，提高運行可靠性。

本實用新型的上述技術問題主要是通過下述技術方案得以解決的：TSC裝置包括三個串聯電路，每個串聯電路由電容、電抗器、熔斷器、電流互感器和晶閘管模塊相串聯而成，三個串聯電路的第一端分別和A相母線、B相母線、C相母線相連，三個串聯電路的第二端分別和連于相鄰相母線上的串聯電路的第一端相連，所述的電抗器上并聯有RC保護電路，RC保護電路為電阻R和電容C的串聯電路。本實用新型針對回路中主要過電壓因電抗器產生的原因而進行改進。因電抗器電感量的存在，電路產生過電壓時，由于電容C的電壓不能突變，電容C充電，使電抗器兩端電壓逐漸升高，避免晶閘管模塊反向電壓瞬間變大而擊穿晶閘管。晶閘管觸發導通后，電容C放電，使晶閘管避免了過電壓的襲擊。與電容C串聯的電阻R，則用來限制放電電流和增加放電時間。本實用新型中的RC保護電路，能很好地吸收電抗器產生的截流過電壓，即回路中的主要過電壓，從而提高對晶閘管的保護作用，也延長電阻電容的使用壽命，提高運行可靠性。

作為優選，所述的電阻R為水泥電阻。水泥電阻功率較大、耐熱耐濕性能強、防爆性能好。

作為優選，所述的電容C為無極性電容。無極性電容的耐壓絕緣強度高。

作為優選，所述的晶閘管模塊為可控硅和二極管的并聯電路，且二極管的正極和可控硅的陰極相連，二極管的負極和可控硅的陽極相連。控制方便，也節約成本。

本實用新型的有益效果是：接入簡單，維護方便，能很好地吸收電抗器產生的截流過電壓，即回路中的主要過電壓，從而提高對晶閘管的保護作用，也延長RC保護電路的使用壽命，提高運行可靠性。

附圖說明

圖1是本實用新型的一種電路連接結構示意圖。

圖中1.電容，2.電抗器，3.熔斷器，4.電流互感器，5.晶閘管模塊，6.串聯電路的第一端，7.串聯電路的第二端，8.RC保護電路，9.避雷器。

具體實施方式

下面通過實施例，并結合附圖，對本實用新型的技術方案作進一步具體的說明。