[實用新型]TSC裝置中的可控硅RC保護回路有效
| 申請號： | 201220664655.5 | 申請日： | 2012-12-05 |
| 公開（公告）號： | CN202997580U | 公開（公告）日： | 2013-06-12 |
| 發明（設計）人： | 金曉;陳瑜;姜慧慧 | 申請（專利權）人： | 浙江瑞泰電力電子有限公司 |
| 主分類號： | H02J3/18 | 分類號： | H02J3/18;H02H9/04 |
| 代理公司： | 杭州杭誠專利事務所有限公司 33109 | 代理人： | 尉偉敏 |
| 地址： | 323000 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | tsc 裝置 中的 可控硅 rc 保護 回路 | ||
【權利要求書】：
1.?一種TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其特征在于TSC裝置包括三個串聯電路，每個串聯電路由電容（1）、電抗器（2）、熔斷器（3）、電流互感器（4）和晶閘管模塊（5）相串聯而成，三個串聯電路的第一端（6）分別和A相母線、B相母線、C相母線相連，三個串聯電路的第二端（7）分別和連于相鄰相母線上的串聯電路的第一端（6）相連，所述的電抗器（2）上并聯有RC保護電路（8），RC保護電路（8）為電阻R和電容C的串聯電路。
2.根據權利要求1所述的TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其特征在于所述的電阻R為水泥電阻。
3.根據權利要求1或2所述的TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其特征在于所述的電容C為無極性電容。
4.根據權利要求1或2所述的TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其特征在于所述的晶閘管模塊（5）為可控硅SCR和二極管D的并聯電路，且二極管D的正極和可控硅SCR的陰極相連，二極管D的負極和可控硅SCR的陽極相連。
5.根據權利要求3所述的TSC裝置中的可控硅RC保護回路，其特征在于所述的晶閘管模塊（5）為可控硅SCR和二極管D的并聯電路，且二極管D的正極和可控硅SCR的陰極相連，二極管D的負極和可控硅SCR的陽極相連。
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