[實(shí)用新型]一種鍍膜設(shè)備及靶材

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201220657375.1
• 申請(qǐng)日: 2012-12-03
• 公開（公告）號(hào): CN202954086U
• 公開（公告）日: 2013-05-29
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 金原奭;金永珉;金珌奭
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 京東方科技集團(tuán)股份有限公司
• 主分類號(hào): C23C14/35
• 分類號(hào): C23C14/35
• 代理公司: 北京銀龍知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11243
• 代理人: 黃燦;安利霞

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及光學(xué)器件制造工具技術(shù)領(lǐng)域，特別是指一種鍍膜設(shè)備及靶材。

背景技術(shù)

近年來，在微電子，光學(xué)薄膜和材料表面處理領(lǐng)域中，磁控濺射技術(shù)作為一種有效的薄膜沉積方法，被普遍應(yīng)用于薄膜沉積和表面覆蓋層制備，在工業(yè)生產(chǎn)和科學(xué)研究領(lǐng)域發(fā)揮了巨大作用。

磁控濺射生成的薄膜厚度的均勻性是成膜的一項(xiàng)重要指標(biāo)，在濺射鍍膜中，由于腔體入口只有一個(gè)，在氧化物半導(dǎo)體的制作中，從該腔體入口進(jìn)入的氧氣通過靶材進(jìn)行鍍膜時(shí)，導(dǎo)致所鍍膜層厚度不能成理想的均勻分布。

現(xiàn)有技術(shù)中的鍍膜裝置如圖1、2和3所示，其中圖1是現(xiàn)有的該鍍膜裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是正視圖，圖3是俯視圖；圖中濺射源由腔體21和靶材22組成，靶材22為一長(zhǎng)方體靶材；靶材22位于腔體21內(nèi)部，腔體21的底部開口正對(duì)著待鍍膜的基板11，腔體21還具有一氧氣（O₂）輸入口23，濺射出的材料沉積在位于靶前的基板11上。

通過上述結(jié)構(gòu)的鍍膜裝置對(duì)基板進(jìn)行鍍膜時(shí)，由于腔體21的氧氣輸入口23只有一個(gè)，因此，造成反應(yīng)氣體分布不均勻，從而使基板上的膜層厚度不均勻。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題是提供一種鍍膜設(shè)備及靶材，可以使反應(yīng)氣體分布均勻，從而使基板上的膜層厚度均勻。

為解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種鍍膜設(shè)備，包括：腔體和靶材；所述靶材為位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口。

其中，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。

其中，所述靶材為正方體形時(shí)，所述腔體的位于任意兩個(gè)靶材之間的位置還設(shè)置有反應(yīng)氣體輸入口。

其中，所述腔體的底部具有正對(duì)待鍍膜的基板的開口。

其中，所述反應(yīng)氣體為氧氣。

其中，鍍膜設(shè)備還包括：控制所述靶材旋轉(zhuǎn)速度的控制裝置。

本實(shí)用新型還提供一種靶材，包括：平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材。

其中，所述靶材為長(zhǎng)方體形、圓柱體形或者正方體形。

本實(shí)用新型的上述技術(shù)方案的有益效果如下：

上述方案中，通過將靶材設(shè)置成位于所述腔體內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口，從而使通過所述反應(yīng)氣體輸入口進(jìn)入腔體內(nèi)的反應(yīng)氣體均勻分布，并進(jìn)而使基板上的膜層厚度均勻。

附圖說明

圖1為現(xiàn)有技術(shù)中鍍膜裝置的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是圖1所示的鍍膜裝置的正視圖；

圖3是圖1所示的鍍膜裝置的俯視圖；

圖4為本實(shí)用新型的鍍膜裝置的靶材為長(zhǎng)方體形的立體結(jié)構(gòu)示意圖；

圖5為圖4所示的鍍膜裝置的正視圖；

圖6為圖4所示的鍍膜裝置的俯視圖；

圖7為靶材為正方體形的正視圖。

具體實(shí)施方式

為使本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。

如圖4－圖6所示，本實(shí)用新型的實(shí)施例提供一種鍍膜設(shè)備，包括：腔體41和靶材42；所述靶材42為位于所述腔體41內(nèi)部的平行設(shè)置的至少兩個(gè)靶材；所述腔體41具有位于任意兩行靶材之間的反應(yīng)氣體輸入口43；其中，所述靶材42可以為長(zhǎng)方體形；所述腔體41的底部正對(duì)待鍍膜的基板31。所述反應(yīng)氣體可以為氧氣（O₂）等反應(yīng)性氣體。上述鍍膜設(shè)備還包括：控制所述靶材旋轉(zhuǎn)速度的控制裝置。

上述實(shí)施例中，通過將靶材42設(shè)置為平行設(shè)置的至少兩個(gè)長(zhǎng)方體形的靶材，并可以通過兩個(gè)長(zhǎng)方體形的靶材之間的縱向入口或者橫向入口處設(shè)置反應(yīng)氣體輸入口43，并通過控制裝置控制靶材42以縱向軸或者橫向軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而可以使反應(yīng)氣體通過反應(yīng)氣體輸入口43在單位體積內(nèi)分布均勻化，從而使沉積在基板31上的材料分布均勻，進(jìn)而使基板31的膜層厚度均勻。

本實(shí)用新型的另一實(shí)施例中，靶材42還可以為圓柱體形；該實(shí)施例中，同樣通過將靶材42設(shè)置為平行設(shè)置的至少兩個(gè)圓柱體形的靶材，并可以通過兩個(gè)圓柱體形的靶材之間的縱向入口或者橫向入口處設(shè)置反應(yīng)氣體輸入口43，并通過控制裝置控制靶材42以縱向軸或者橫向軸進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，從而可以使反應(yīng)氣體通過反應(yīng)氣體輸入口43在單位體積內(nèi)分布均勻化，從而使沉積在基板31上的材料分布均勻，進(jìn)而使基板31的膜層厚度均勻。