[實用新型]倒裝基板及基于該倒裝基板的LED封裝結構

有效

• 申請號: 201220651276.2
• 申請日: 2012-11-29
• 公開（公告）號: CN203055978U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 王冬雷;武文成;莊燦陽
• 申請（專利權）人: 蕪湖德豪潤達光電科技有限公司
• 主分類號: H01L33/48
• 分類號: H01L33/48;H01L33/62;H01L33/64
• 代理公司: 廣東秉德律師事務所 44291
• 代理人: 楊煥軍

技術領域

本實用新型涉及LED封裝技術領域，具體的說是一種倒裝基板及基于該倒裝基板的LED封裝結構。

背景技術

LED(Light?Emitting?Diode)是一種固態半導體器件，可將電能轉換為光能。具有耗電量小、聚光效果好、反應速度快、可控性強、能承受高沖擊力、使用壽命長、環保等優點，LED正逐步替代傳統光源，成為第四代光源。

LED雖然節能，但與一般白熾燈飾一樣，一部分能量轉化為光的過程中，另外一部分能量轉化成熱量，尤其是LED為點狀發光光源，其所產生的熱量也集中在極小的區域，若產生的熱量無法及時散發出去，PN結的結溫將會升高，加速芯片和封裝材料的老化，還可能導致焊點融化，致使芯片失效，進而直接影響LED的使用壽命與發光性能，尤其是大功率LED,其發熱量更大，對散熱技術要求更高。

陶瓷基板具有高散熱、低熱阻、長壽命、使用溫度寬、耐電壓等優點，但是制備陶瓷散熱基板需要具有較高的設備與技術，制造工藝相當復雜，需使用到如曝光、真空沉積、顯影、蒸鍍、濺鍍電鍍與無電鍍等技術，使得陶瓷基板造價昂貴。另外，傳統的陶瓷基板中，封裝透鏡和銅金屬復合層的粘結膠會對LED芯片的出光有一定影響，這部分膠阻擋了LED芯片側面所發出的一部分光，使得LED側向光的利用率下降。對于這一問題，業界技術人員也提出了改進，如專利號為201220168404.8的中國專利，公開了一種LED芯片封裝基板結構，雖然該方案解決了使用傳統陶瓷基板導致LED芯片側向出光率降低的問題，但是電路層和微米級超薄陶瓷絕緣層的設計，更加增加了工藝的復雜程度，另外專利中使用了帶有凸臺的鎢銅合金嵌板，增加了材料成本，使得這種封裝基板成本昂貴的問題仍然沒有得以解決。

實用新型內容

本實用新型的其中一目的在于提供一種倒裝基板。

本實用新型的另一目的在于提供一種基于上述倒裝基板的LED封裝結構。

為了達到上述目的，本實用新型采用了如下的技術方案：

一種倒裝基板，包括：銅質熱沉板，該銅質熱沉板上嵌有一條絕緣帶，該絕緣帶將該銅質熱沉板分隔為兩個電極；固定LED芯片的鎢銅合金凸臺分別焊接在兩電極上，在該鎢銅合金凸臺的表面設有電鍍層。

作為本實用新型的優選技術方案：所述鎢銅合金凸臺的厚度為0.2-0.3mm。

作為本實用新型的優選技術方案：所述鎢銅合金凸臺通過銀銅焊料層與電極焊接。

作為本實用新型的優選技術方案：所述電鍍層由內至外設有鎳電鍍層與金電鍍層兩層。

基于上述倒裝基板的LED封裝結構，包括LED芯片、封裝透鏡，銅質熱沉板，該銅質熱沉板上嵌有一條絕緣帶，該絕緣帶將該銅質熱沉板分隔為兩個電極；固定LED芯片的鎢銅合金凸臺分別焊接在兩電極上，在該鎢銅合金凸臺的表面設有電鍍層；所述LED芯片焊接在鎢銅合金凸臺表面的電鍍層上，其正、負極分別與該鎢銅合金凸臺導電連接。

作為本實用新型的優選技術方案：所述鎢銅合金凸臺通過銀銅焊料層與電極焊接。

作為本實用新型的優選技術方案：所述電鍍層由內至外設有鎳電鍍層與金電鍍層兩層。

作為本實用新型的優選技術方案：所述LED芯片通過金錫焊料層焊接在鎢銅合金凸臺表面的電鍍層上。

與現有技術相比，本實用新型所揭露的倒裝基板結構簡單，簡化了基板的制造工藝流程，大大降低了LED封裝基板的生產成本，鎢銅合金凸臺使得LED芯片在燈具的內的安裝高度增加，因而LED芯片所發射出的光能更多的直射到封裝透鏡的工作面（封裝透鏡的曲面），解決了傳統陶瓷基板中透鏡粘結膠對出光率影響的問題，增加了LED燈珠的出光率；而且，LED芯片的正、負極直接與鎢銅合金凸臺導電連接，不需要進行傳統工藝中的打金線工藝，LED芯片的封裝工藝流程得以進一步簡化。同時，鎢銅合金凸臺綜合了銅和鎢的優點，既具有鎢的低膨脹特性，又具有銅的高導熱特性，更適用于做大功率器件的熱沉材料。

附圖說明

圖1為本實用新型中的倒裝基板的結構示意圖。

圖2為本實用新型中的倒裝基板的制造方法的示意圖。

圖3為本實用新型中的基于該倒裝基板的LED封裝結構的示意圖。

具體實施方式