[實(shí)用新型]一種PPTC與ESD模組有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220649277.3 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN202977419U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 陳錦標(biāo) | 申請(專利權(quán))人: | 東莞市競沃電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/02;H02H9/04 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標(biāo)事務(wù)所有限公司 44215 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 523000 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 pptc esd 模組 | ||
1.一種PPTC與ESD模組,其特征在于:包括PPTC芯片、ESD芯片、右電極、左電極以及中間電極,所述PPTC芯片的左上端設(shè)有上導(dǎo)電膜,所述PPTC芯片的上方設(shè)有上絕緣層,上導(dǎo)電膜位于上絕緣層與PPTC芯片之間,且上絕緣層與PPTC芯片的右上端面連接;所述PPTC芯片的右下端設(shè)有中間第一導(dǎo)電膜,PPTC芯片的下方設(shè)有中間絕緣層,中間絕緣層與PPTC芯片的左下端面連接,中間第一導(dǎo)電膜位于PPTC芯片與中間絕緣層之間,所述ESD芯片的右上端面與中間絕緣層連接,ESD芯片的左上方設(shè)有中間第二導(dǎo)電膜,且中間第二導(dǎo)電膜位于中間絕緣層與ESD芯片之間,ESD芯片的下方設(shè)有下絕緣層,其中下絕緣層的上端面的中部設(shè)有下導(dǎo)電膜,下導(dǎo)電膜分別與ESD芯片和下絕緣層連接;所述右電極與中間第一導(dǎo)電膜的右側(cè)面連接,所述左電極與上導(dǎo)電膜的左側(cè)面以及中間第二導(dǎo)電膜的左側(cè)面連接,所述中間電極與下導(dǎo)電膜連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述左電極和右電極均為U形電極,U形電極包括上貼合部、連接部和下貼合部;連接部位于上貼合部和下貼合部之間,左電極的上貼合部和右電極的上貼合部分別與上絕緣層的左上端面和右上端面貼合,右電極的下貼合部和左電極的下貼合部分別與下絕緣層的左下端面和右下端面貼合,右電極的連接部與中間第一導(dǎo)電膜的右端面連接;左電極的連接部分別與上導(dǎo)電膜的左端面、中間第二導(dǎo)電膜的左端面連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述中間電極包括上貼合部、下貼合部和前連接部,前連接部的兩端分別與上貼合部的前端和下貼合部的前端連接;所述中間電極的上貼合部與上絕緣層的上端面貼合,中間電極的下貼合部與下絕緣層的下端面貼合,前連接部與下導(dǎo)電膜的前側(cè)面連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述前連接部的后端面分別與上導(dǎo)電膜、中間第一導(dǎo)電膜、中間第二導(dǎo)電膜之間設(shè)有前絕緣層。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述中間電極還包括后連接部,后連接部的兩端分別與上貼合部的后端和下貼合部的后端連接;后連接部與下導(dǎo)電膜的后側(cè)面連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述后連接部的后端面分別與上導(dǎo)電膜、中間第一導(dǎo)電膜、中間第二導(dǎo)電膜之間設(shè)有后絕緣層。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述U形電極的連接部向內(nèi)彎曲呈弧形形成導(dǎo)通孔。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的一種PPTC與ESD模組,其特征在于:所述中間電極的前連接部的中部和后連接部的中部均向內(nèi)彎曲呈弧形形成導(dǎo)通孔。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個(gè)共用襯底內(nèi)或其上形成的多個(gè)半導(dǎo)體或其他固態(tài)組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導(dǎo)體組件并且至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個(gè)躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導(dǎo)體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發(fā)射并且包括至少有一個(gè)電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導(dǎo)體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結(jié)點(diǎn)的熱電元件的;包括有熱磁組件的





