[實用新型]一種PPTC與ESD模組有效
| 申請號: | 201220649277.3 | 申請日: | 2012-11-30 |
| 公開(公告)號: | CN202977419U | 公開(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發明(設計)人: | 陳錦標 | 申請(專利權)人: | 東莞市競沃電子科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/02 | 分類號: | H01L27/02;H02H9/02;H02H9/04 |
| 代理公司: | 東莞市華南專利商標事務所有限公司 44215 | 代理人: | 李玉平 |
| 地址: | 523000 廣東省東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 pptc esd 模組 | ||
技術領域
本實用新型涉及電路保護技術領域,具體的說,涉及一種PPTC與ESD模組。
背景技術
PPTC與ESD模組主要用來保護高成本的PSTN和VolP電話設備免受雷擊、過流、ESD浪涌;以及交流線路的搭碰和感應所造成的損害。如圖1所示,現有的PPTC與ESD模組100在使用時,PPTC與ESD模組100有三個接線端子,因此在PPTC與ESD模組100成型時設計有三個插腳,這種結構的模組占用空間大,不利于微型化設計。且該模組是將PPTC、ESD獨立的連接起來,在PPTC和ESD連接時需要兩個工位,生產效率不高,同時也不利于微型化設計。
發明內容
本實用新型的目的在于解決現有技術的不足,提供一種PPTC與ESD模組,該模組將PPTC和ESD結構有機結合,減少裝配空間,有利于微型化設計以及自動化貼裝。
為達到上述目的,本實用新型采用的技術方案為:
一種PPTC與ESD模組,包括PPTC芯片、ESD芯片、右電極、左電極以及中間電極,所述PPTC芯片的左上端設有上導電膜,所述PPTC芯片的上方設有上絕緣層,上導電膜位于上絕緣層與PPTC芯片之間,且上絕緣層與PPTC芯片的右上端面連接;所述PPTC芯片的右下端設有中間第一導電膜,PPTC芯片的下方設有中間絕緣層,中間絕緣層與PPTC芯片的左下端面連接,中間第一導電膜位于PPTC芯片與中間絕緣層之間,所述ESD芯片的右上端面與中間絕緣層連接,ESD芯片的左上方設有中間第二導電膜,且中間第二導電膜位于中間絕緣層與ESD芯片之間,ESD芯片的下方設有下絕緣層,其中下絕緣層的上端面的中部設有下導電膜,下導電膜分別與ESD芯片和下絕緣層連接;所述右電極與中間第一導電膜的右側面連接,所述左電極與上導電膜的左側面以及中間第二導電膜的左側面連接,所述中間電極與下導電膜連接。
進一步地,所述左電極和右電極均為U形電極,U形電極包括上貼合部、連接部和下貼合部;連接部位于上貼合部和下貼合部之間,左電極的上貼合部和右電極的上貼合部分別與上絕緣層的左上端面和右上端面貼合,右電極的下貼合部和左電極的下貼合部分別與下絕緣層的左下端面和右下端面貼合,右電極的連接部與中間第一導電膜的右端面連接;左電極的連接部分別與上導電膜的左端面、中間第二導電膜的左端面連接。
進一步地,所述中間電極包括上貼合部、下貼合部和前連接部,前連接部的兩端分別與上貼合部的前端和下貼合部的前端連接;所述中間電極的上貼合部與上絕緣層的上端面貼合,中間電極的下貼合部與下絕緣層的下端面貼合,前連接部與下導電膜的前側面連接。
本實用新型采用雙面電極設計,便于實現自動化貼裝,提升加工效率。
進一步地,所述前連接部的后端面分別與上導電膜、中間第一導電膜、中間第二導電膜之間設有前絕緣層。
再進一步地,三個前絕緣層延長連接形成大前絕緣層。
進一步地,所述中間電極還包括后連接部,后連接部的兩端分別與上貼合部的后端和下貼合部的后端連接;后連接部與下導電膜的后側面連接。
進一步地,所述后連接部的后端面分別與上導電膜、中間第一導電膜、中間第二導電膜之間設有后絕緣層。
進一步地,所述U形電極的連接部向內彎曲呈弧形形成導通孔。
進一步地,所述中間電極的前連接部的中部和后連接部的中部均向內彎曲呈弧形形成導通孔。
本實用新型取得的有益效果為:本實用新型采用雙面電極結構,且將PPTC和ESD芯片有機結合起來,減少占用空間,便于自動化貼裝,提高加工效率。
附圖說明
圖1為現有技術PPTC和ESD模塊的應用電路示意圖。
圖2為本實用新型的結構示意圖。
圖3為本實用新型的俯視示意圖。
圖4為圖3的AA向剖視圖。
附圖標記為:
1——上絕緣層???????????????2——PPTC芯片
3——上導電膜???????????????4——中間第一導電膜
5——中間絕緣層???????????6——中間第二導電膜
7——ESD芯片??????????????8——下導電膜
9——下絕緣層???????????????10——右電極
11——左電極?????????????????12——中間電極
13——導通孔?????????????????14——大前絕緣層。
具體實施方式
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





