[實用新型]用于低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體等靜壓成型模具有效
| 申請號: | 201220624899.0 | 申請日: | 2012-11-23 |
| 公開(公告)號: | CN202910976U | 公開(公告)日: | 2013-05-01 |
| 發明(設計)人: | 柳龍華;王志勤;張孔;邱穎霞;陳潛 | 申請(專利權)人: | 中國電子科技集團公司第三十八研究所 |
| 主分類號: | B28B7/42 | 分類號: | B28B7/42 |
| 代理公司: | 合肥金安專利事務所 34114 | 代理人: | 金惠貞 |
| 地址: | 230088 安徽*** | 國省代碼: | 安徽;34 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 用于 溫和 高溫 陶瓷 基板腔體 靜壓 成型 模具 | ||
技術領域
本實用新型屬于用于貫通型、單面型、雙面型、臺階型、圍框型等低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體的等靜壓成型工藝技術領域,具體涉及低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體等靜壓成型模具。
背景技術
現代電子裝備正朝著高集成、高可靠、高性能和低成本的方向發展,要求不斷提高微波電路的組裝與互連密度,實現微波電路的微型化、輕量化和高可靠。因此,微波多芯片組件技術得到了廣泛研究和應用。低溫和高溫共燒陶瓷基板技術采用了帶狀線和微波垂直過渡的形式構成微波信號傳輸結構,具有體積小、集成度高、電路穩定可靠等優點,已廣泛應用于微波多芯片組件中的電路互連基板。此外,由于在微波多芯片組件采用了大量微波單片集成電路和專用集成電路裸芯片,為了保證這些裸芯片的長期可靠性,通常采用金屬外殼將微波多芯片組件封裝起來,實現氣密性封裝并有效屏蔽外來電磁干擾。因此,利用低溫和高溫共燒陶瓷基板技術除了可以克服傳統的微波組件氣密封裝時金屬外殼重量較重、熱膨脹系數與微波電路基板不匹配、微波輸入/輸出端引入的差損和駐波較大等缺點,還可以實現互連基板和封裝外殼一體化,在提高封裝密度、減小體積、減輕重量的同時,改善微波特性、提高可靠性。在低溫和高溫共燒陶瓷基板上制作各種類型的腔體結構,不僅可以把微波單片集成電路和專用集成電路裸芯片封裝在腔體內,進一步減小微波多芯片組件體積、縮短傳輸線、簡化互連結構、提高集成度,還可以解決大功率密度微波器件散熱難題,是低溫和高溫共燒陶瓷基板技術的重要發展方向。
低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體是指通過機械沖制、激光切割等方法制作形成的空腔式結構,常見的腔體結構有貫通型、單面型、雙面型、臺階型和圍框型。
低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體成型通常有兩種方式:
(1)先開腔法。先在生瓷打孔工序中用打孔機的方形沖頭包絡沖制出空腔窗口,再進行填孔與圖形絲網印刷,再通過層疊、等靜壓與燒結工藝,得到有既定空腔的多層基板,該方式適用于各種腔體結構成型。但在等靜壓過程中,為了避免腔體變形,必須在腔體中放置與空腔配合緊密的等靜壓用填充嵌件,然后再進行層壓。嵌件的材料必須具有一定強度和彈性,其形狀必須與空腔相同,尺寸取空腔的負公差(0.02~0.05mm)。因而,填充嵌件的制作需要采用專用的嵌件模具,精度要求高,流程復雜,制造成本高;
(2)后開腔法。采用傳統的低溫和高溫共燒陶瓷基板工藝流程,在燒結工序之后,采用激光切割的方式制出空腔窗口。后開腔法不存在腔體變形,但需要高精度激光切割設備,精度要求高,且僅適用于貫通型的腔體結構制作。
發明內容
本實用新型的目的在于提供一種用于低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體等靜壓成型模具,可滿足貫通型、單面型、雙面型、臺階型和圍框型腔體結構制作要求。
本實用新型的具體技術方案如下:
用于低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體等靜壓成型模具包括金屬背板和彈性材料板,彈性材料板位于金屬背板上,二者的外部包裹著真空包裝袋;用于成型時,被加工的陶瓷基板位于金屬背板和彈性材料板之間,被加工的陶瓷基板上開設有一個以上的方形腔體或圓形腔體;在被加工陶瓷基板和彈性材料板之間設有金屬掩模板,與被加工陶瓷基板對應,金屬掩模板上開設有一個以上的方形通孔或圓形通孔。
所述金屬掩模板材料為鋁,厚度為0.5㎜。
本實用新型由金屬背板和彈性材料板組成的用于低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體等靜壓成型模具,以保持腔體形狀在等靜壓過程中不變形,操作方便;與陶瓷基板對應的金屬掩模板利用紫外激光切割方式加工而成,精度高;彈性材料板可以采用硅橡膠、乳膠墊等重復使用性好、延展性大的材料,不需要外形加工,成本低。
本實用新型有益技術效果是,采用此模具制作的貫通型、單面型、雙面型、臺階型和圍框型等低溫和高溫共燒陶瓷基板腔體尺寸滿足設計要求,結構無倒塌變形。
附圖說明
圖1為本實用新型結構示意圖。
圖2為本實用新型剖視圖。
圖3為掩模板結構示意圖。
圖4為成型完成狀態示意圖。
上圖中序號:陶瓷基板1、金屬掩模板2、彈性材料板3、金屬背板4、真空包裝袋5。
具體實施方式
下面結合附圖,通過實施例對本實用新型作進一步地說明。
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