[實(shí)用新型]半導(dǎo)體器件有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220613616.2 | 申請日: | 2012-11-12 |
| 公開(公告)號: | CN202996818U | 公開(公告)日: | 2013-06-12 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 沼崎雅人 | 申請(專利權(quán))人: | 瑞薩電子株式會(huì)社 |
| 主分類號: | H01L23/49 | 分類號: | H01L23/49;H01L23/495 |
| 代理公司: | 北京市金杜律師事務(wù)所 11256 | 代理人: | 陳偉 |
| 地址: | 日本神*** | 國省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 半導(dǎo)體器件 | ||
1.一種半導(dǎo)體器件,其特征在于,包括:
芯片焊盤;
多條懸垂引線,其用于支承所述芯片焊盤;
多條引線,其配置在所述多條懸垂引線之間;
半導(dǎo)體芯片,其搭載在所述芯片焊盤的上表面,具有:主面、形成于所述主面的多個(gè)電極焊盤、以及與所述主面為相反側(cè)的背面;
多條導(dǎo)線,其分別電連接所述半導(dǎo)體芯片的所述多個(gè)電極焊盤和所述多條引線;
封裝體,其以使得所述多條引線的各自的下表面露出的方式封固所述半導(dǎo)體芯片和所述多條導(dǎo)線,
所述多條引線分別具有:從所述封裝體露出的所述下表面;與所述下表面為相反側(cè)的上表面;位于所述上表面與所述下表面之間且與所述芯片焊盤相對的內(nèi)側(cè)端面;位于所述內(nèi)側(cè)端面的相反側(cè)且從所述封裝體露出的外側(cè)端面;位于所述上表面與所述下表面之間且位于所述內(nèi)側(cè)端面與所述外側(cè)端面之間的第1側(cè)面;與所述第1側(cè)面為相反側(cè)的第2側(cè)面,
而且,所述多條引線在所述多條引線的各自的延伸方向上還分別具有:位于所述內(nèi)側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分;和與所述第1部分相比位于所述外側(cè)端面?zhèn)鹊牡?部分,
在所述第1側(cè)面的所述第1部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械?層差部,
在所述第2側(cè)面的所述第2部分、且在與所述下表面相比靠所述上表面?zhèn)刃纬捎械?層差部,
在所述第1側(cè)面的所述第2部分沒有形成所述第1層差部和第2層差部,
在所述第2側(cè)面的所述第1部分沒有形成所述第1層差部和第2層差部。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在所述多條引線的各自的所述第1部分的所述下表面,形成有與所述內(nèi)側(cè)端面相連的第3層差部。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述第3層差部向所述芯片焊盤的方向的伸出量分別大于所述第1層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量和所述第2層差部向相鄰的所述引線的方向的伸出量。
4.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述封裝體的平面形狀為四邊形,所述多條引線在俯視觀察時(shí)沿所述封裝體的各邊各配置有奇數(shù)條,
在所述各邊上,以相對于所述奇數(shù)條的所述引線中的中央引線為線對稱的方式形成有所述多條引線的各自的所述第1層差部及所述第2層差部。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
在所述中央引線的內(nèi)側(cè)端部形成有俯視觀察時(shí)幅寬的幅寬部。
6.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
形成有所述第1層差部的所述第1側(cè)面位于所述導(dǎo)線的延伸方向側(cè)。
7.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
關(guān)于所述各邊的所述奇數(shù)條的所述引線中的、除配置在所述中央的所述引線以外的引線,各所述引線的內(nèi)側(cè)端部俯視觀察時(shí)的形狀以沿著所述導(dǎo)線的延伸方向的方式彎曲。
8.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述封裝體的平面形狀為四邊形,所述多條引線在俯視觀察時(shí)沿所述封裝體的各邊各配置有偶數(shù)條,
在所述各邊上,關(guān)于所述偶數(shù)條的所述引線,各引線的所述第1層差部及所述第2層差部相對于所述偶數(shù)條的所述引線的排列方向分別以同一朝向形成。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
所述多條引線分別通過蝕刻加工而形成。
10.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件,其特征在于,
形成于所述多條引線的各自的所述第2側(cè)面的所述第2部分的所述第2層差部在所述封裝體的內(nèi)部終結(jié)。
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