[實用新型]一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴

有效

• 申請號: 201220610741.8
• 申請日: 2012-11-16
• 公開（公告）號: CN202930369U
• 公開（公告）日: 2013-05-08
• 發明（設計）人: 韓林森;龔平;王從亮
• 申請（專利權）人: 無錫華潤安盛科技有限公司
• 主分類號: H01L21/683
• 分類號: H01L21/683
• 代理公司: 無錫互維知識產權代理有限公司 32236
• 代理人: 王愛偉

【技術領域】

本實用新型是關于半導體封裝技術領域，特別是關于MEMS半導體芯片封裝中使用的抓取芯片的吸嘴的結構改進。

【背景技術】

半導體芯片在封裝過程中，在完成某個封裝步驟之后，需要將芯片抓取到另外一個工位進行下一道工序的處理，現有的抓取芯片的設備是采用真空吸嘴吸取芯片的表面來實現對芯片的抓取。但是現有的吸嘴在吸取芯片過程中會有一定的壓力作用于芯片表面。在普通芯片中，吸嘴直接作用于芯片表面并不存在問題，但對于MEMS芯片則存在問題，如圖1所示，MEMS芯片由于內部是一腔體，芯片表面是一層感應膜，MEMS芯片靠感應膜來感應壓力，而在吸嘴吸取MEMS芯片的過程中容易出現吸嘴邊緣損壞芯片表面感應膜的問題。而且現有的吸嘴通常末端是水平的，在吸嘴的中心開一個穿孔，吸取芯片時，直接將吸嘴末端的平面貼在芯片表面，僅靠穿孔的吸力作用于芯片表面，往往由于吸嘴的孔徑較小，吸片真空不足容易導致吸取后芯片掉落的情況。

因此有必要對現有的吸嘴的結構進行改進，以克服現有技術的前述缺陷。

【實用新型內容】

本實用新型的目的在于提供一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴。

為達成前述目的，本實用新型一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴，其中所述MEMS芯片設有硅層，所述硅層的表面形成一感應膜區域，所述吸嘴包括吸嘴本體，在吸嘴本體內形成有供吸取芯片的氣體通過的氣體通道，其特征在于：在吸嘴的末端自吸嘴表面圍繞所述氣體通道向內凹陷形成一個與所述氣體通道連通的避空槽，所述避空槽的面積大于所述感應膜區域的面積。

根據本實用新型的一個實施例，所述MEMS芯片還設有玻璃層,所述玻璃層與所述硅層形成空腔。

根據本實用新型的一個實施例，所述吸嘴本體上端為圓柱體，下端為漸縮的錐臺形，錐臺的末端為矩形、圓形或三角形。

根據本實用新型的一個實施例，所述避空槽為矩形、圓形或三角形。

根據本實用新型的一個實施例，所述氣體通道包括位于吸嘴本體內上端開口的四方通道和與四方通道下方連通的下端開口的圓柱通道，所述四方通道的直徑比圓柱通道的直徑大。

本實用新型的吸嘴末端的避空槽的面積比欲吸取的芯片的感應膜的面積大，這樣當吸嘴貼敷于芯片上吸取芯片時，吸嘴的邊緣會避開芯片表面感應膜而作用于芯片四周的實體區域，從而避免吸嘴邊緣損壞芯片表面感應膜的問題。

由于在吸嘴末端挖去部分，形成有避空槽，這樣原本與芯片接觸的吸取芯片的部分只有圓柱空腔的開口那么大的面積，形成避空槽之后，吸嘴最下端的避空槽與芯片之間即形成避空槽面積的吸腔，這樣的吸嘴，吸取芯片時真空充足從而不會出現吸取后芯片掉落的情況。

【附圖說明】

圖1是MEMS芯片的部分結構剖視示意圖。

圖2是MEMS芯片的俯視示意圖。

圖3是本實用新型的芯片吸嘴的仰視圖。

圖4是沿圖3中X-X線方向的剖視圖。

圖5是本實用新型的芯片吸嘴的俯視圖。

圖6是本實用新型的芯片吸嘴吸取芯片時的示意圖。

【具體實施方式】

此處所稱的“一個實施例”或“實施例”是指可包含于本實用新型至少一個實現方式中的特定特征、結構或特性。在本說明書中不同地方出現的“在一個實施例中”并非均指同一個實施例，也不是單獨的或選擇性的與其他實施例互相排斥的實施例。在圖中的上、下、左、右、前、后等方位性的說明也只是結合附圖進行的說明，而并非對本實用新型的實質內容的具體限定。

本實用新型是針對MEMS芯片的抓取設備的吸嘴進行的改進，下面僅結合附圖對吸嘴部分的結構進行說明，關于抓取設備的其他部件本實用新型不再詳細說明。

首先需說明一下本實用新型所針對的MEMS芯片的結構，在本實用新型的一個實施例中，本實用新型主要針對的是具有壓力傳感器的MEMS芯片，圖1所示的是本實用新型所針的MEMS芯片的部分結構剖視圖，圖2所示的是本實用新型的MEMS芯片的俯視圖，請結合圖1和圖2所示，本實用新型所針對的MEMS芯片1，其包括一層玻璃層11、玻璃層11上有一層硅層12，在硅層12與玻璃層11內形成一個空腔13，由于硅層內部被挖成空腔，則硅層12的上表面剩余的部分即形成一層薄的硅層，該薄的硅層稱為MEMS芯片的感應膜14，如圖2所示，感應膜14的區域為芯片1的中心的一塊區域，在感應膜14的四周為硅層12的實體區域。