[實用新型]一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220610741.8 | 申請日: | 2012-11-16 |
| 公開(公告)號: | CN202930369U | 公開(公告)日: | 2013-05-08 |
| 發(fā)明(設計)人: | 韓林森;龔平;王從亮 | 申請(專利權)人: | 無錫華潤安盛科技有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/683 | 分類號: | H01L21/683 |
| 代理公司: | 無錫互維知識產權代理有限公司 32236 | 代理人: | 王愛偉 |
| 地址: | 214028 江蘇省無錫*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 用于 吸取 mems 芯片 | ||
1.一種用于吸取MEMS芯片的吸嘴,其中所述MEMS芯片設有硅層,所述硅層上表面形成一感應膜區(qū)域,所述吸嘴包括吸嘴本體,和在所述吸嘴本體內形成有供吸取芯片的氣體通過的氣體通道,其特征在于:在吸嘴的末端自吸嘴表面圍繞所述氣體通道向內凹陷形成一個與所述氣體通道連通的避空槽,所述避空槽的面積大于所述感應膜區(qū)域的面積。
2.如權利要求1所述的吸嘴,其特征在于:所述MEMS芯片還設有玻璃層,所述玻璃層與所述硅層形成空腔。
3.如權利要求1所述的吸嘴,其特征在于:所述吸嘴本體上端為圓柱體,下端為漸縮的錐臺形,錐臺的末端為矩形、圓形或三角形。
4.如權利要求1或3所述的吸嘴,其特征在于:所述避空槽為矩形、圓形或三角形。
5.如權利要求1所述的吸嘴,其特征在于:所述氣體通道包括位于吸嘴本體內上端開口的四方通道和與四方通道的下端開口連通的圓柱通道,所述四方通道的直徑比圓柱通道的直徑大。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





