[實用新型]硅片缺陷檢測裝置有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201220596967.7 | 申請日: | 2012-11-13 |
| 公開(公告)號: | CN203011849U | 公開(公告)日: | 2013-06-19 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 肖穎婕;劉小宇;黃憶華;張瑋華;謝均 | 申請(專利權(quán))人: | 上海太陽能工程技術(shù)研究中心有限公司 |
| 主分類號: | G01N21/88 | 分類號: | G01N21/88 |
| 代理公司: | 上海科盛知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 31225 | 代理人: | 楊元焱 |
| 地址: | 200241 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 硅片 缺陷 檢測 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種質(zhì)量檢測設(shè)備,尤其涉及一種硅片缺陷檢測裝置。
背景技術(shù)
硅片可能存在材料本身的缺陷、結(jié)晶缺陷、碎片、材料污染等故障,這些故障在后繼的制造過程或使用中,會使太陽電池的性能劣化,所以需要在前期予以檢測。目前,太陽電池生產(chǎn)線上,硅片的缺陷檢測手段大多是依靠人工目視的檢測方法,漏檢率和誤差率非常高,影響了太陽電池生產(chǎn)的質(zhì)量和進(jìn)度。因此,無接觸式的動態(tài)監(jiān)測規(guī)模生產(chǎn)中硅片缺陷故障的狀況,對各種缺陷故障問題進(jìn)行統(tǒng)計分析,對盡可能早地鑒別缺陷類型及其可能的成因以便于能及時發(fā)現(xiàn)工藝或設(shè)備中的問題而避免更多的成品率損失顯得非常必要。
實用新型內(nèi)容
本實用新型的目的,就是為了提供一種硅片缺陷檢測裝置,以實現(xiàn)在生產(chǎn)線上對硅片進(jìn)行動態(tài)檢測。
為了達(dá)到上述目的,本實用新型采用了以下技術(shù)方案:一種硅片缺陷檢測裝置,設(shè)置在生產(chǎn)線中硅片的路徑上,包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)、紅外成像機(jī)構(gòu)和計算機(jī);硅片光致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)設(shè)置在硅片的正下方激發(fā)硅片發(fā)光,紅外成像機(jī)構(gòu)設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C(jī),計算機(jī)通過安裝在其內(nèi)的圖像采集、圖像處理及數(shù)據(jù)分析軟件得出硅片的缺陷參數(shù)。
所述的硅片光致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)包括激光器和光源電源,激光器設(shè)置在硅片的正下方,激光器將發(fā)出的光投射到硅片上激發(fā)硅片發(fā)光,光源電源與激光器相連向激光器提供電能并控制其發(fā)光強(qiáng)度。
所述的紅外成像機(jī)構(gòu)前端設(shè)有濾光片。
本實用新型的硅片缺陷檢測裝置通過激光器激發(fā)待測硅片產(chǎn)生特定波長的發(fā)光信號,通過紅外成像機(jī)構(gòu)和計算機(jī)檢測并處理硅片發(fā)出的特定波長的發(fā)光信號,得到其可靠的缺陷參數(shù)數(shù)據(jù)。能方便快速地檢測出硅片材料本身的缺陷、結(jié)晶缺陷、碎片、材料污染等缺陷,并且實現(xiàn)了無接觸檢測,具有結(jié)構(gòu)簡單、使用方便、缺陷參數(shù)檢測可靠精確等優(yōu)點和特點。
附圖說明
圖1是本實用新型硅片缺陷檢測裝置的基本結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式
參見圖1,本實用新型硅片缺陷檢測裝置,設(shè)置在生產(chǎn)線中硅片1的路徑上,包括硅片光致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)2、紅外成像機(jī)構(gòu)5和計算機(jī)7。
硅片光致發(fā)光激發(fā)機(jī)構(gòu)2設(shè)置在硅片1的正下方激發(fā)硅片1發(fā)光,紅外成像機(jī)構(gòu)5設(shè)置在硅片的正上方檢測硅片1的發(fā)光信號并將其傳輸?shù)接嬎銠C(jī)7,計算機(jī)7通過安裝在其內(nèi)的圖像采集、圖像處理及數(shù)據(jù)分析軟件得出硅片1的缺陷參數(shù)。
激光器激發(fā)機(jī)構(gòu)2包括激光器3和光源電源4,激光器3設(shè)置在硅片1的正下方,激光器3將發(fā)出的光投射到硅片1上激發(fā)硅片1發(fā)光,光源電源4與激光器3相連向激光器3提供電能并控制其發(fā)光強(qiáng)度。
在紅外成像機(jī)構(gòu)5的前端設(shè)有濾光片6。
在檢測過程中,首先利用激光器發(fā)出的光激發(fā)待測硅片,激光器發(fā)光強(qiáng)度的大小通過對光源電源的控制來實現(xiàn)。由于硅片在被激發(fā)后會產(chǎn)生特定波長的發(fā)光信號,通過檢測并處理硅片發(fā)出的特定波長的發(fā)光信號,從而得到其可靠的缺陷參數(shù)數(shù)據(jù)。
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G01N 借助于測定材料的化學(xué)或物理性質(zhì)來測試或分析材料
G01N21-00 利用光學(xué)手段,即利用紅外光、可見光或紫外光來測試或分析材料
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