[實用新型]硅片缺陷檢測裝置有效
| 申請號： | 201220596967.7 | 申請日： | 2012-11-13 |
| 公開（公告）號： | CN203011849U | 公開（公告）日： | 2013-06-19 |
| 發明（設計）人： | 肖穎婕;劉小宇;黃憶華;張瑋華;謝均 | 申請（專利權）人： | 上海太陽能工程技術研究中心有限公司 |
| 主分類號： | G01N21/88 | 分類號： | G01N21/88 |
| 代理公司： | 上海科盛知識產權代理有限公司 31225 | 代理人： | 楊元焱 |
| 地址： | 200241 *** | 國省代碼： | 上海;31 |
| 權利要求書： | 查看更多 | 說明書： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 硅片 缺陷 檢測 裝置 | ||
【權利要求書】：
1.一種硅片缺陷檢測裝置，設置在生產線中硅片的路徑上，其特征在于：包括硅片光致發光激發機構、紅外成像機構和計算機；硅片光致發光激發機構設置在硅片的正下方激發硅片發光，紅外成像機構設置在硅片的正上方檢測硅片的發光信號并將其傳輸到計算機。
2.如權利要求1所述的硅片缺陷檢測裝置，其特征在于：所述的硅片光致發光激發機構包括激光器和光源電源，激光器設置在硅片的正下方，激光器將發出的光投射到硅片上激發硅片發光，光源電源與激光器相連向激光器提供電能并控制其發光強度。
3.如權利要求1所述的硅片缺陷檢測裝置，其特征在于：所述的紅外成像機構前端設有濾光片。?
下載完整專利技術內容需要扣除積分，VIP會員可以免費下載。
該專利技術資料僅供研究查看技術是否侵權等信息，商用須獲得專利權人授權。該專利全部權利屬于上海太陽能工程技術研究中心有限公司，未經上海太陽能工程技術研究中心有限公司許可，擅自商用是侵權行為。如果您想購買此專利、獲得商業授權和技術合作，請聯系【客服】
本文鏈接：http://www.szxzyx.cn/pat/books/201220596967.7/1.html，轉載請聲明來源鉆瓜專利網。
