[實用新型]可重組態的高速存儲芯片模塊和電子系統裝置

有效

• 申請號: 201220577078.6
• 申請日: 2012-11-05
• 公開（公告）號: CN203179011U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 甘萬達;盧超群;宋建邁
• 申請（專利權）人: 鈺創科技股份有限公司
• 主分類號: G06F13/16
• 分類號: G06F13/16;H01L23/552;H01L23/367
• 代理公司: 深圳新創友知識產權代理有限公司 44223
• 代理人: 江耀純

1.一種可重組態的高速存儲芯片模塊，包括：?

一種型式的存儲單元數組，其中該種型式的存儲單元數組包括多個存儲單元數組集成電路；?

該高速存儲芯片模塊的特征在于還包括：?

一第一傳輸總線，耦接于該種型式的存儲單元數組，具有一第一可編程的傳送或接收數據速率、一第一可編程的傳送或接收數據信號振幅；及?

一邏輯單元，耦接于該第一傳輸總線，用以通過該第一傳輸總線存取該種型式的存儲單元數組。?

2.如權利要求1所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該第一傳輸總線是用以傳送伴隨該多個存儲單元數組集成電路的一第一組平行數據，且該第一傳輸總線的總線寬度是大于每一存儲單元數組集成電路的輸入/輸出數據總線的總線寬度。?

3.如權利要求1所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，還包括：?

一第二傳輸總線，耦接于該邏輯單元，具有一第二可編程的傳送或接收數據速率、一第二可編程的傳送或接收數據信號振幅，其中該邏輯單元另用以通過該第二傳輸總線轉換該第一組平行數據成為一第二組平行資料。?

4.如權利要求3所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該第二傳輸總線具有一第二可編程的數據寬度與一第二可編程的位置寬度，以及該第一傳輸總線具有一第一可編程的數據寬度與一第一可編程的位置寬度。?

5.如權利要求4所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該第一可編程的傳送或接收數據速率、該第一可編程的傳送或接收數據信號振幅、該第一可編程的數據寬度與該第一可編程的位置寬度具有第一默認值，且該?第二可編程的傳送或接收數據速率、該第二可編程的傳送或接收數據信號振幅、該第二可編程的數據寬度與該第二可編程的位置寬度具有第二默認值。?

6.如權利要求3所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該第一傳輸總線和該第二傳輸總線的可編程功能是有關于可一次編程、可多次編程、一快閃存儲器、一嵌入式存儲器、一反保險絲、一緩存器、一韌體或一軟件。?

7.如權利要求1所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，圍繞或部分圍繞該多個存儲單元數組集成電路中的每一個存儲單元數組集成電路的主動電路區的非主動電路區內具有至少一直接硅晶穿孔，且該主動電路區是用以形成該存儲單元數組集成電路的至少一主動組件。?

8.如權利要求7所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該至少一直接硅晶穿孔是用以連接一電源或一地端。?

9.如權利要求7所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該存儲單元數組集成電路的一角具有一方向識別標示，其中該方向識別標示是由包括一雷射步驟的制程所形成。?

10.如權利要求7所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該存儲單元數組集成電路的一角具有一方向識別標示，其中該方向識別標示包括至少一切割邊緣、一畫線、一孔洞或任一樣式。?

11.如權利要求7所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該存儲單元數組集成電路的一角具有一識別標示，其中該識別標示是由包括一直接硅晶穿孔步驟的制程所形成。?

12.如權利要求1所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，圍繞或部分圍繞該邏輯單元的主動電路區的非主動電路區內具有至少一直接硅晶穿孔，且該主動電路區是用以形成該邏輯單元的至少一主動組件，其中該至少一直接硅晶穿孔是用以連接一電源或一地端。?

13.如權利要求12所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該邏輯單元包括一直接硅晶穿孔以連接該多個存儲單元數組集成電路中的一存儲單元數組集成電路，以及還包括一打線襯墊以連接另一集成電路，其中該另一集成電路具有一模擬功能、一數字信號處理功能、一通信功能、一無線保真功能、一電源管理功能、一數字模擬混合功能、一無線射頻功能或一微機電系統功能。?

14.如權利要求7或12所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該非主動電路區的寬度小于50um。?

15.如權利要求7或12所述的高速存儲芯片模塊，其特征在于，該至少一直接硅晶穿孔的寬度小于20um。?