[實用新型]一種晶體硅太陽電池和光伏組件有效
| 申請號: | 201220575694.8 | 申請日: | 2012-10-31 |
| 公開(公告)號: | CN202888191U | 公開(公告)日: | 2013-04-17 |
| 發明(設計)人: | 溫建軍;陳如龍 | 申請(專利權)人: | 無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 晶體 太陽電池 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種晶體硅太陽電池和光伏組件,屬于光伏技術領域。
背景技術
隨著當今世界人口和經濟的增長、能源資源的日益匱乏、環境的日益惡化以及人們對電能需求量的日益增長,太陽能的開發和利用已經在全球范圍內掀起了熱潮。這非常有利于生態環境的可持續發展、造福子孫后代,因此世界各國競相投資研究開發太陽電池。太陽電池是一種利用光生伏特效應將太陽光能直接轉化為電能的器件。太陽電池種類繁多,其中重要的一類為晶體硅太陽能電池。
眾所周知,要收集晶體硅太陽電池產生的電流,需要在晶體硅太陽電池受光面(太陽光的入射面)制作金屬上電極,該金屬上電極一般包括副柵線和主柵線。副柵線用來收集晶體硅太陽電池產生的電流并將其傳輸給主柵線,主柵線再通過焊接或粘接在其上的浸錫銅帶(又可稱為焊帶、互連條)將多個晶體硅太陽電池串聯后,再將電流通過相互電連接的匯流條和外部導線輸出。
晶體硅太陽電池的金屬上電極圖形的設計應使電池的輸出功率最大,這就需要重點兼顧兩個方面:1、金屬上電極的串聯電阻盡可能的小;2、使電池沒有被電極遮擋的光照面積盡可能的大;同時還要兼顧組件加工工藝的復雜程度,尤其是當單體晶體硅太陽電池的尺寸增加和表面擴散電阻增大時,該方面的考慮就變得愈加重要。
對于晶體硅太陽電池組件而言,電池所產生電流的主要通路,在組件中為連接電池的互連條,而不是電池主柵線。電池片的主柵線主要起收集電池副柵線的電流并將此電流傳輸到互連條的作用,同時還要保證電池與互連條的可焊性和一定的焊接牢固度。
發明內容
本實用新型提供一種晶體硅太陽電池和光伏組件。
為達到上述目的,本實用新型采用的第一種技術方案是:一種晶體硅太陽電池,所述晶體硅太陽電池的受光面上設有用于收集電能的若干條副柵線,和用于將所述副柵線上的電能匯流的若干條主柵線;所述主柵線之間的間距為31~42毫米。
在一較佳實施例中,所述副柵線的間距為1~2.2毫米。
在一較佳實施例中,所述主柵線的寬度為0.5~2毫米。
在一較佳實施例中,所述副柵線的寬度為0.02~0.1毫米。
在一較佳實施例中,所述副柵線與主柵線接觸處的寬度大于所述副柵線其它部分的寬度。
在一較佳實施例中,所述晶體硅太陽電池的受光面上還設有邊緣柵線,該邊緣柵線連接于所述若干條副柵線的端部。
在一較佳實施例中,所述副柵線的端部與所述晶體硅太陽電池的邊緣不接觸。
在一較佳實施例中,所述晶體硅太陽電池的背面對應于每條所述主柵線的位置設有背電極線。
在一較佳實施例中,所述背電極線由若干個點狀或者塊狀的電極單元構成。
為達到上述目的,本實用新型采用的第二種技術方案是:所述光伏組件層壓有上述技術方案中所述的晶體硅太陽電池。
由于上述技術方案運用,本實用新型與現有技術相比具有下列優點:
1、由于金屬電極串聯電阻的另一個主要來源是副柵線,本實用新型在副柵線總體寬度不增加(以減少金屬電極對電池受光面的遮擋)的基礎上,采用針狀結構,同時減少副柵線到達主柵線的長度,從而降低金屬電極的串聯電阻。
2、由于本實用新型將主柵線的間距設計為31~42毫米,并將主柵線寬度減小到0.5~2mm,從而縮短副柵線到達主柵線的長度,在不增加電池被遮擋的面積的前提下,可在電池效率不變和不增加任何成本的情況下,降低組件的串聯電阻,提高組件的填充因子(FF),提高組件的輸出功率,保守估計大約每個60片串聯的組件提升2-5W,以提升3W計,每年生產一千萬個組件約2GW,可增加功率30MW,以每瓦1美元計,一年可多收入3000萬美元。
附圖說明
附圖1為晶體硅太陽電池的受光面的示意圖;
附圖2為晶體硅太陽電池的背面的示意圖;
附圖3為主柵線和副柵線(針狀結構)連接示意圖。
以上附圖中:1、主柵線;2、副柵線;3、晶體硅太陽電池的受光面;4、晶體硅太陽電池的背面;5、電極單元;6、背電極線;7、邊緣柵線。
具體實施方式
下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述:
實施例一:一種晶體硅太陽電池和光伏組件
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





