[實用新型]一種晶體硅太陽電池和光伏組件有效
| 申請號： | 201220575694.8 | 申請日： | 2012-10-31 |
| 公開（公告）號： | CN202888191U | 公開（公告）日： | 2013-04-17 |
| 發明（設計）人： | 溫建軍;陳如龍 | 申請（專利權）人： | 無錫尚德太陽能電力有限公司 |
| 主分類號： | H01L31/0224 | 分類號： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 214028 江蘇*** | 國省代碼： | 江蘇;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 晶體 太陽電池 組件 | ||
【權利要求書】：
1.一種晶體硅太陽電池，其特征在于：所述晶體硅太陽電池的受光面上設有用于收集電能的若干條副柵線，和用于將所述副柵線上的電能匯流的若干條主柵線；所述主柵線之間的間距為31～42毫米。
2.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述副柵線的間距為1～2.2毫米。
3.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述主柵線的寬度為0.5～2毫米。
4.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述副柵線的寬度為0.02～0.1毫米。
5.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述副柵線與主柵線接觸處的寬度大于所述副柵線其它部分的寬度。
6.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述晶體硅太陽電池的受光面上還設有邊緣柵線，該邊緣柵線連接于所述若干條副柵線的端部。
7.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述副柵線的端部與所述晶體硅太陽電池的邊緣不接觸。
8.根據權利要求1所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述晶體硅太陽電池的背面對應于每條所述主柵線的位置設有背電極線。
9.根據權利要求8所述的晶體硅太陽電池，其特征在于：所述背電極線由若干個點狀或者塊狀的電極單元構成。
10.一種光伏組件，其特征在于：所述光伏組件層壓有權利要求1～9中任意一個所述的晶體硅太陽電池。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射，或微粒輻射敏感的，并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件；專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的，例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的，一個或多個電光源，如場致發光光源在結構上相連的，并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的
