[實(shí)用新型]功率半導(dǎo)體模塊冷卻裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201220575180.2 | 申請(qǐng)日: | 2012-11-02 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN202977400U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-06-05 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 松島誠(chéng)二 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 昭和電工株式會(huì)社 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L23/473 | 分類(lèi)號(hào): | H01L23/473 |
| 代理公司: | 北京市中咨律師事務(wù)所 11247 | 代理人: | 段承恩;楊光軍 |
| 地址: | 日本*** | 國(guó)省代碼: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 功率 半導(dǎo)體 模塊 冷卻 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及冷卻例如IGBT模塊和/或智能功率模塊等使半導(dǎo)體元件及其控制電路一體化而成的功率半導(dǎo)體模塊的功率半導(dǎo)體模塊冷卻裝置。
背景技術(shù)
在搭載于例如電動(dòng)車(chē)、混合動(dòng)力車(chē)、電車(chē)等的電力轉(zhuǎn)換裝置中使用的IGBT(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor,絕緣柵雙極型晶體管)等功率器件(半導(dǎo)體元件),近年來(lái)也多用作與控制電路一體化而被收置于同一封裝中的IGBT模塊(以下稱(chēng)為IGBTM)和/或、相對(duì)于IGBTM進(jìn)一步一體化有保護(hù)電路而被收置于同一封裝中的智能功率模塊(以下稱(chēng)為IPM)。
以往,作為冷卻IGBTM的冷卻裝置,已知有一種產(chǎn)品,其具備:由板狀的外壁部件構(gòu)成并且在內(nèi)部收置受到從IGBTM發(fā)出的熱而沸騰的冷媒的冷媒槽;和在冷媒槽的上部與冷媒槽相連通地設(shè)置且使從冷媒槽上升的氣相冷媒冷凝液化的散熱器,形成有陰螺紋孔的分隔件介于冷媒槽的互相相對(duì)的外壁部件間,IGBTM通過(guò)將在IGBTM設(shè)置的螺釘插穿孔中插穿的陽(yáng)螺紋部件貫穿外壁部件而螺紋嵌合于分隔件的陰螺紋孔內(nèi)、從而安裝于外壁部件的外表面(參照特開(kāi)平8-186209號(hào)公報(bào))。
但是,在上述公報(bào)記載的冷卻裝置中,陽(yáng)螺紋部件貫穿冷媒槽的外壁部件,因此冷媒恐會(huì)泄漏。
另一方面,作為冷卻沒(méi)有模塊化的IGBT等功率器件的冷卻裝置,已知有一種產(chǎn)品,其包括:由散熱基板及在散熱基板的單面一體形成的散熱翅片構(gòu)成的冷卻器;和由陶瓷板、在陶瓷板的單面設(shè)置的多孔質(zhì)金屬層及覆蓋多孔質(zhì)金屬層的表面的金屬層構(gòu)成的絕緣電路基板,絕緣電路基板的與設(shè)置陶瓷板中的多孔質(zhì)層一側(cè)相反的一側(cè)的面經(jīng)由高導(dǎo)熱性潤(rùn)滑脂而裝載于冷卻器的散熱基板的另一面,陶瓷板的周緣部經(jīng)由在冷卻器的散熱基板固定的夾具而安裝于散熱基板,夾具通過(guò)使在夾具設(shè)置的螺釘插穿孔中插穿的陽(yáng)螺紋部件螺紋嵌合于在冷卻器的散熱基板形成的陰螺紋孔中、從而固定,在絕緣電路基板的金屬層上軟釬焊有多個(gè)功率器件(參照特開(kāi)2003-298009號(hào)公報(bào))。
但是,在特開(kāi)2003-298009號(hào)公報(bào)記載的冷卻裝置中,冷卻器由散熱基板及在散熱基板的單面一體形成的散熱翅片構(gòu)成,通過(guò)在散熱翅片間流動(dòng)的空氣來(lái)冷卻在絕緣電路基板的金屬層上軟釬焊的多個(gè)功率器件,因此冷卻效率不足。
再有,作為與特開(kāi)2003-298009號(hào)公報(bào)記載的冷卻裝置相比高效地冷卻沒(méi)有模塊化的IGBT等功率器件的冷卻裝置,已知有一種產(chǎn)品,其具備由頂壁、底壁及周壁構(gòu)成且在內(nèi)部具有冷卻流體通路的殼體、配置于殼體的流體通路內(nèi)的波紋狀散熱翅片、與殼體連接而使冷卻液流入殼體內(nèi)的流入管、與殼體連接而使冷卻液從殼體內(nèi)流出的流出管和與殼體的頂壁外表面接合的絕緣電路基板,在絕緣電路基板上接合功率器件(參照特開(kāi)2009-195912號(hào)公報(bào))。
但是,在將特開(kāi)2009-195912號(hào)公報(bào)記載的冷卻裝置適用于IGBTM和/或IPM等功率半導(dǎo)體模塊的冷卻的情況下,代替在殼體的頂壁外表面接合絕緣電路基板,而在特開(kāi)2009-195912號(hào)公報(bào)記載的冷卻裝置的殼體內(nèi)配置特開(kāi)平8-186209號(hào)公報(bào)記載的分隔件,通過(guò)使在功率半導(dǎo)體模塊設(shè)置的螺釘插穿孔中插穿的陽(yáng)螺紋部件貫穿殼體的頂壁而螺紋嵌合于分隔件的陰螺紋孔,從而將夾具固定于殼體,經(jīng)由固定了的夾具將功率半導(dǎo)體模塊安裝于殼體。但是,該情況下,陽(yáng)螺紋部件貫穿殼體的頂壁,因此冷卻液體恐會(huì)泄漏。此外,分隔件會(huì)妨礙在殼體內(nèi)的冷卻液體的流暢流動(dòng),冷卻效率恐會(huì)下降。再有,無(wú)法將分隔件配置于翅片存在的部分,因此功率半導(dǎo)體模塊的設(shè)置自由度下降。
為了解決將特開(kāi)2009-195912號(hào)公報(bào)記載的冷卻裝置適用于功率半導(dǎo)體模塊的冷卻的情況下的上述問(wèn)題,而可以考慮增大殼體的頂壁的厚度,并在殼體的頂壁形成螺紋嵌合于陽(yáng)螺紋部件的陰螺紋孔,但是該情況下,由于從功率半導(dǎo)體模塊向殼體內(nèi)流動(dòng)的冷卻流體的導(dǎo)熱性的下降,使得冷卻效率恐會(huì)不足。
實(shí)用新型內(nèi)容
本實(shí)用新型的目的是提供解決上述問(wèn)題,能防止冷卻流體的泄漏,且能抑制冷卻效率的下降的功率半導(dǎo)體模塊冷卻裝置。
為實(shí)現(xiàn)上述目的,本實(shí)用新型包括以下方式。
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