[實用新型]一種噴涂制絨系統

有效

• 申請號: 201220566637.3
• 申請日: 2012-10-31
• 公開（公告）號: CN202940263U
• 公開（公告）日: 2013-05-15
• 發明（設計）人: 胡海平;班群;方結彬;何達能;陳剛
• 申請（專利權）人: 廣東愛康太陽能科技有限公司
• 主分類號: H01L31/18
• 分類號: H01L31/18;C30B33/10
• 代理公司: 廣州三環專利代理有限公司 44202
• 代理人: 顏希文

技術領域

本實用新型涉及晶硅太陽電池制作領域，尤其涉及一種噴涂制絨系統。

背景技術

太陽能電池是一種利用光生伏打效應把光能轉換成電能的器件，在光電轉換過程中，損耗主要為：光損耗和電損耗。而對于晶硅太陽電池，光損耗主要來自前表面的反射損失和后表面的長波反射損耗，電損耗主要來自光子激發的電子、空穴對復合及電阻功率損耗。

目前，常規晶硅太陽電池片的制作工藝采用相同的流程。盡管單、多晶太陽電池片制作工藝流程及大部分設備相同，然而，在光電轉換效率方面，一般單晶太陽電池片的光電轉換效率比多晶太陽電池高1.5%的絕對效率，主要原因是：1、多晶硅片存在較多的晶界，在內部及表面處，其電子空穴對符合速率遠大于單晶；2、兩者絨面的反射率存在較大差異，一般制絨后，在太陽全光譜下，單晶的反射率為11%，多晶的發射率高達24%。因此，在多晶硅太陽電池片制作技術中，如何降低多晶表面反射率顯得尤為重要，同時，由于多晶硅的晶向排列無規則，單晶制絨的各向異性腐蝕原理不再適合。

在現有的多晶制絨制絨工藝中，普遍采用氫氟酸和硝酸的混合溶液進行制絨，其原理是：硝酸與硅片氧化生成二氧化硅，氫氟酸與二氧化硅反應，生成溶于水的氟化物，硅片被腐蝕而形成絨面。通常，在晶體缺陷較多處容易被硝酸氧化，同時，損傷處或者晶界與硝酸反應速率較快，在該處易形成溝道型絨面，而其它區域，由于酸腐蝕硅片反應是各向同性的，即各個方向反應速率相等，且反應速率較慢，該處形成絨面較小。由于晶體缺陷、損傷處與晶體結構完整及非損傷處，酸與硅片的反應速率存在較大的差異，這導致絨面差異較大，不均勻，反射率高達24%。

發明內容

本實用新型所要解決的技術問題在于，提供一種噴涂制絨系統，可在硅片前表面得到均勻的正六邊形絨面，有效降低前表面太陽光的反射損耗，提高太陽電池的光電轉換效率。

為了解決上述技術問題，本實用新型提供了一種噴涂制絨系統，包括：拋光槽、制絨槽、第一漂洗槽、堿洗槽、第二漂洗槽、酸洗槽、第三漂洗槽、吹干槽及用于傳輸硅片的滾輪；所述拋光槽、制絨槽、第一漂洗槽、堿洗槽、第二漂洗槽、酸洗槽、第三漂洗槽及吹干槽依次相連；所述制絨槽內設有噴涂機。

作為上述方案的改進，所述噴涂機包括至少一個噴頭。

作為上述方案的改進，所述噴涂機還包括用于控制所述噴頭的控制器。

作為上述方案的改進，所述噴頭上設有噴嘴，所述噴嘴的橫截面為兩同心正六邊形所形成的環形結構。

作為上述方案的改進，???所述噴嘴的壁厚為5um~10um；所述環形結構的內正六邊形邊長為10um~20um；所述環形結構的外正六邊形邊長為15um~30um。

作為上述方案的改進，所述吹干槽內設有氮氣吹風機或壓縮空氣吹風機。

實施本實用新型的有益效果在于：

制絨前，在拋光槽內用酸或堿對硅片進行粗拋光，使硅片的前表面及后表面較為平坦。

然后，在噴涂機內通入酸液，進行硅片的噴涂制絨處理，其中，噴嘴的橫截面為兩同心正六邊形所形成的環形結構，噴嘴壁厚為5um~10um，環形結構的內正六邊形邊長為10um~20um，環形結構的外正六邊形邊長為15um~30um。噴涂時，硅片置于去離子水中，將噴嘴緊壓在硅片上，酸液沿噴頭經噴嘴噴出，對硅片進行選擇性腐蝕，由于酸液與硅片的接觸面為正六邊形，且硅片預先進行粗拋光處理，噴頭與硅片接觸較緊密，只有極少的酸液逸出，而逸出的酸液被制絨槽中的去離子水稀釋，對硅片腐蝕作用較弱，此外，隨著反應的進行，酸液逐漸向硅片內部腐蝕，則在兩同心正六邊形間的硅片內部將被腐蝕，并逐漸延續到其表面，最終形成與外正六邊形大小相同的均勻絨面結構。相應地，通過移動噴頭，在整個硅片前表面得到均勻的、邊長與外正六邊形大小相同的正六邊形絨面，降低了硅片前表面的反射率。同時，由于正六邊形絨面的陷光效果優良，使硅片的反射率比常規工藝低5%~10%的絕對反射率，有效降低前表面太陽光的反射損耗，從而提高了太陽電池的光電轉換效率。

另外，由于經粗拋光的硅片的后表面未經制絨處理而保留其平坦表面，平坦的后表面可有效地增加對長波的反射，將部分未吸收的長波反射回硅片內部，進行再次利用，大大地提高了長波的利用率。

附圖說明

圖1是本實用新型一種噴涂制絨系統的第一實施例結構示意圖；

圖2是本實用新型一種噴涂制絨系統中噴嘴的橫截面結構示意圖。

具體實施方式