[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請號: 201220565676.1
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN202837764U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 張新霞;涂志中;郭霄;呂鳳珍;林炳仟
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;G09G3/36
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

1.一種陣列基板，包括基板、形成在所述基板上的柵線和數據線，其特征在于，還包括由同一條柵線且同一條數據線驅動的像素單元，所述像素單元包括：薄膜晶體管結構和至少兩個顯示區域，所述薄膜晶體管結構同時驅動所述至少兩個顯示區域中的像素電極，并且使得施加在所述至少兩個顯示區域中的像素電極的電壓不同。

2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述像素單元包括兩個顯示區域，分別位于驅動所述像素單元的柵線的兩側。

3.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構為復合薄膜晶體管，所述復合薄膜晶體管包括柵極、源極、兩個漏極，所述源極與所述兩個漏極之間分別形成有一個源漏溝道，所述柵極位于所述柵線上，所述源極連接所述數據線，所述兩個漏極分別連接所述兩個顯示區域中的像素電極，所述源極與所述兩個漏極之間的兩個源漏溝道的溝道寬度不同。

4.如權利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個源漏溝道的溝道寬度為20~30um。

5.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述薄膜晶體管結構為兩個薄膜晶體管，所述兩個薄膜晶體管的柵極均位于柵線上或者連接柵線，源極均連接數據線，漏極分別連接所述兩個顯示區域中的像素電極，所述兩個薄膜晶體管各自的源極與漏極之間形成的源漏溝道的溝道寬度不同。

6.如權利要求5所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個薄膜晶體管各自的源漏溝道的溝道寬度為20~30um。

7.如權利要求1~6中任一項所述的陣列基板，其特征在于，每個所述顯示區域包括：公共電極及所述像素電極，所述像素電極和公共電極通過絕緣層隔開；

所述像素電極位于所述公共電極上方，且所述像素電極為條狀電極；或

所述公共電極位于所述像素電極上方，且所述公共電極為條狀電極。

8.如權利要求7所述的陣列基板，其特征在于，每個所述顯示區域的條狀電極分為兩組條狀電極：第一組條狀電極和第二組條狀電極，組內的各條狀電極平行，兩組條狀電極具有各自的傾斜取向，且兩組條狀電極在所述顯示區域內對稱分布。

9.如權利要求8所述的陣列基板，其特征在于，所述條狀電極所在顯示區域的液晶為正性液晶時，條狀電極的傾斜取向方向與所述正性液晶的初始取向方向的夾角為5°~20°；或所述條狀電極所在顯示區域的液晶為負性液晶時，條狀電極的傾斜取向方向與所述負性液晶的初始取向方向的夾角為70°~85°。

10.如權利要求2所述的陣列基板，其特征在于，所述兩個顯示區域的面積比為1:1~1:9之間。

11.一種顯示裝置，其特征在于，包括如權利要求1~10中任一項所述的陣列基板。