[實用新型]陣列基板及顯示裝置

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220565676.1
• 申請日: 2012-10-30
• 公開（公告）號: CN202837764U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發(fā)明（設計）人: 張新霞;涂志中;郭霄;呂鳳珍;林炳仟
• 申請（專利權(quán)）人: 京東方科技集團股份有限公司;合肥京東方光電科技有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362;G02F1/1368;G02F1/1343;H01L27/02;G09G3/36
• 代理公司: 北京路浩知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11002
• 代理人: 王瑩

技術(shù)領(lǐng)域

本實用新型涉及顯示技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及顯示裝置。

背景技術(shù)

高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)（ADvanced?Super?Dimension?Switch，AD-SDS，簡稱ADS）模式液晶顯示器具備廣視角、高穿透率、低色差等優(yōu)點，逐漸得到廣泛的應用。具體地，ADS技術(shù)主要是通過同一平面內(nèi)狹縫電極邊緣所產(chǎn)生的電場以及狹縫電極層與板狀電極層間產(chǎn)生的電場形成多維電場，使液晶盒內(nèi)狹縫電極間、電極正上方所有取向液晶分子都能夠產(chǎn)生旋轉(zhuǎn)，從而提高了液晶工作效率并增大了透光效率。高級超維場轉(zhuǎn)換技術(shù)可以提高TFT-LCD產(chǎn)品的畫面品質(zhì)，具有高分辨率、高透過率、低功耗、寬視角、高開口率、低色差、無擠壓水波紋（push?Mura）等優(yōu)點。

ADS模式液晶顯示器的陣列基板的像素單元包含兩層透明電極，即第一透明電極和位于其正對上方的第二透明電極，第一透明電極和第二透明電極兩者之一作為像素電極與薄膜晶體管的漏極連接，另一作為公共電極與公共電極線連接；第二透明電極為具有一定寬度和間距的條狀電極（又稱為狹縫電極），第二透明電極與第一透明電極上下疊層設置，并且第一透明電極和第二透明電極通過絕緣層隔開。

早期的ADS模式液晶顯示器的陣列基板設計時，第二透明電極為條狀電極，該條狀電極只具有一種傾斜角度，如圖1所示，包括：柵線1、數(shù)據(jù)線2、條狀電極3、條狀電極3之間的開口4、源極5和漏極6。這樣的液晶顯示器工作時，液晶在電場驅(qū)動下，每一個像素單元內(nèi)的液晶7只有一種偏轉(zhuǎn)角度，如圖2所示。在不同的觀察視角下，由于液晶的各向異性，液晶顯示器具有亮度差異，存在一定的色差。

美國專利US2002/0041354公開了一種ADS模式液晶顯示器的陣列基板設計方法，該技術(shù)方案中，像素單元包括一雙疇顯示區(qū)域（像素單元的顯示區(qū)域為除薄膜晶體管外的像素電極覆蓋的區(qū)域），即條狀電極3具有兩種傾斜角度，如圖3所示。這樣的液晶顯示器工作時，液晶在電場驅(qū)動下，每一個像素單元內(nèi)的液晶7具有兩種偏轉(zhuǎn)角度，如圖4所示。在不同的觀察視角下，由于液晶7偏轉(zhuǎn)的平均化效果，液晶顯示器亮度差異減小，色差有一定的改善。

上述的技術(shù)方案中，條狀電極具有兩種傾斜角度，在顯示過程中，同一個像素單元內(nèi)液晶具有兩種偏轉(zhuǎn)角度，雖然具有一定的平均化效果，但在色差表現(xiàn)方面仍有進一步改善的空間。

實用新型內(nèi)容

（一）要解決的技術(shù)問題

本實用新型要解決的技術(shù)問題是：如何進一步地平均液晶顯示器亮度差異，以降低色差。

（二）技術(shù)方案

為解決上述技術(shù)問題，本實用新型一種陣列基板，包括基板、形成在所述基板上的柵線和數(shù)據(jù)線，還包括由同一條柵線且同一條數(shù)據(jù)線驅(qū)動的像素單元，所述像素單元包括：薄膜晶體管結(jié)構(gòu)和至少兩個顯示區(qū)域，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)同時驅(qū)動所述至少兩個顯示區(qū)域中的像素電極，并且使得施加在所述至少兩個顯示區(qū)域中的像素電極的電壓不同。

其中，所述像素單元包括兩個顯示區(qū)域，分別位于驅(qū)動所述像素單元的柵線的兩側(cè)。

其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為復合薄膜晶體管，所述復合薄膜晶體管包括柵極、源極、兩個漏極，所述源極與所述兩個漏極之間分別形成有一個源漏溝道，所述柵極位于所述柵線上，所述源極連接所述數(shù)據(jù)線，所述兩個漏極分別連接所述兩個顯示區(qū)域中的像素電極，所述源極與所述兩個漏極之間的兩個源漏溝道的溝道寬度不同。

其中，所述兩個源漏溝道的溝道寬度為20~30um。

其中，所述薄膜晶體管結(jié)構(gòu)為兩個薄膜晶體管，所述兩個薄膜晶體管的柵極均位于柵線上或者連接柵線，源極均連接數(shù)據(jù)線，漏極分別連接所述兩個顯示區(qū)域中的像素電極，所述兩個薄膜晶體管各自的源極與漏極之間形成的源漏溝道的溝道寬度不同。

其中，所述兩個薄膜晶體管各自的源漏溝道的溝道寬度為20~30um。

其中，每個所述顯示區(qū)域包括：公共電極及所述像素電極，所述像素電極和公共電極通過絕緣層隔開；

所述像素電極位于所述公共電極上方，且所述像素電極為條狀電極；或

所述公共電極位于所述像素電極上方，且所述公共電極為條狀電極。

其中，每個所述顯示區(qū)域的條狀電極分為兩組條狀電極：第一組條狀電極和第二組條狀電極，每組內(nèi)的各條狀電極平行，兩組條狀電極具有各自的傾斜取向，且兩組條狀電極在所述顯示區(qū)域內(nèi)對稱分布。