[實用新型]串聯OLED組件有效
| 申請號: | 201220546409.X | 申請日: | 2012-10-24 |
| 公開(公告)號: | CN202957244U | 公開(公告)日: | 2013-05-29 |
| 發明(設計)人: | 彭暉 | 申請(專利權)人: | 張濤;彭暉 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32;H01L51/52;H01L51/56 |
| 代理公司: | 暫無信息 | 代理人: | 暫無信息 |
| 地址: | 215125 江蘇省蘇州*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 串聯 oled 組件 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種串聯OLED組件。?
背景技術
OLED組件已經被推到顯示和照明市場上。為了使得OLED更快的進入巨大的顯示和照明領域,仍然需要想盡一切辦法,進一步提高OLED組件的性能和降低生產成本。OLED組件的產品結構和生產工藝上的任何一點小的改進而帶來的OLED組件性能的提高和生產成本的降低,都會加快LED進入顯示和照明市場的速度,產生巨大的經濟效益。?
顯示和照明市場要求越來越大面積的OLED,但是,大面積的OLED需要大電流。為了得到大面積和小電流的OLED組件,串聯式OLED被提出。?
專利申請201080010210.6和201080057309.4分別公開了兩種不同的串聯OLED組件的制造方法以及由此不同的方法制造的不同結構的OLED組件。這兩種工藝比較復雜,在形成OLED發光層和在其上層疊電極后,剝離或消融部分OLED發光層和部分電極,容易導致漏電或短路。另外,層疊在OLED發光層上的電極和連接電極是通過兩次工藝分別完成的,工藝成本較高。?
柔性OLED組件于1992年首次提出,挑戰在于:提高柔性OLED組件可以承受的機械應力,例如,彎曲程度和次數。?
因此,需要新型結構的串聯OLED組件,具有比較簡單的工藝,降低成本,同時還可以承受較大的機械應力。?
實用新型內容
本實用新型的目的是提供新型結構的串聯OLED組件,具有比較簡單的制造工藝,降低成本,同時還可以承受較大的機械應力。?
本實用新型提出的一種OLED組件(A),一個實施實例包括:?
(1)基板;(2)至少兩個第一電極:互相分立的第一電極層疊在基板上;(3)至少兩個單元OLED薄膜:單元OLED薄膜分別層疊在第一電極上;第一電極的尺寸大于單元OLED薄膜,使得每個第一電極的一部分沒有被層疊于其上的單元OLED薄膜覆蓋;單元OLED薄膜及其下面的第一電極形成單元OLED組件;(4)鈍化層:鈍化層層疊在每個單元OLED薄膜的表面和側面以及第一電極的側面和沒有被單元OLED薄膜覆蓋的部分;鈍化層在單元OLED薄膜的上方的預定的位置上具有窗口,單元OLED薄膜的一部分在窗口中暴露;鈍化層在不同的第一電極的沒有被單元OLED薄膜覆蓋的部分的上方的預定的位置上具有窗口,第一電極的一部分在窗口中暴露;(5)第二電極:在與外界電源相連接時,一個單元OLED組件的第一電極和另一個單元OLED組件的第二電極分別連接在外界電源的不同極性的電極上,即,第二電極與第一電極的極性相反;第二電極通過鈍化層在一個單元OLED薄膜的上方的預定的位置上的窗口層疊在另一個單元OLED薄膜上;(6)至少一個連接電極;連接電極把全部單元OLED組件連接成一個OLED組件的連接方式是從下述的連接方式中選出,包括,(a)連接電極通過鈍化層在一個單元OLED薄膜上方的窗口層疊在單元OLED薄膜上以及通過鈍化層在相鄰的第一電極上方的窗口層疊在該第一電極上,使得連接電極把一個單元OLED薄膜與相鄰的單元OLED薄膜形成串聯形式的電連接;(b)一個連接電極把一個單元OLED薄膜的陰極與相鄰的兩個單元OLED薄膜的陽極形成電連接;(c)一個連接電極把一個單元OLED薄膜的陽極與相鄰的兩個單元OLED薄膜的陰極形成電連接。從電路角度來講,連接電極把全部單元OLED組件連接成OLED組件的連接方式是從下述的連接方式中選出,包括,(a)把全部單元OLED組件連接成串聯形式的電連接,(b)把全部單元OLED組件連接成整流橋形式的電連接,(c)把全部單元OLED組件分別連接成兩串串聯形式的電連接,然后,把兩串串聯?的單元OLED組件以并聯形式連接。?
上述OLED組件的一個實施實例:其特征在于,在金屬箔上層疊絕緣層,形成表面覆蓋絕緣層的導電的基板,至少兩個第一電極層疊在絕緣層上,使得第一電極之間互相分立,單元OLED薄膜分別層疊在第一電極上。絕緣層包括,整片絕緣層,單元絕緣層。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





