[實用新型]一種陣列基板及顯示器件

有效

• 申請號: 201220542058.5
• 申請日: 2012-10-22
• 公開（公告）號: CN202839613U
• 公開（公告）日: 2013-03-27
• 發明（設計）人: 趙利軍;林允植
• 申請（專利權）人: 京東方科技集團股份有限公司
• 主分類號: H01L27/12
• 分類號: H01L27/12
• 代理公司: 北京路浩知識產權代理有限公司 11002
• 代理人: 韓國勝

技術領域

本實用新型屬于顯示技術領域，特別是涉及一種陣列基板及顯示器件。

背景技術

由于液晶顯示器具有低電壓、微功耗、易彩色化、輕便、高分辨率等特點，得到了極其廣泛的發展。液晶顯示器的顯示面板通常包括陣列基板、彩膜基板和滴注在兩者之間的液晶。現有技術中常用的陣列基板的結構如圖1所示，玻璃基板1上形成有薄膜晶體管的柵極2和存儲電容的電容電極3，柵極2和電容電極3上覆蓋有柵絕緣層4，柵絕緣層4上形成有圖案化的由半導體層5和摻雜半導體層6組成的有源層，有源層上方形成有源電極7、漏電極8和兩者之間的溝道區9，形成有源電極7、漏電極8和溝道區9的基板上覆蓋有保護層10，保護層10上開有過孔11，形成在保護層10上的圖案化透明像素電極層12通過過孔11與漏電極8相接觸。根據傳統的陣列基板的結構，柵極與漏電極之間存在不可避免的重疊電容，當有源層在柵極金屬的外側時，會因為光照射而引起光漏電流；而把有源層做在柵極金屬的內側，則會使柵極與漏電極的重疊電容增大，從而使像素電位差波動增大，而且會在源電極和漏電極與有源層相接的地方，在柵極電壓為負值的時候，有源層會產生空穴漏電流，引起閃爍等顯示器的不良。

實用新型內容

（一）要解決的技術問題

本實用新型要解決的技術問題是如何減小陣列基板中柵極與漏電極之間的重疊電容與漏電流，提高產品的良率。

（二）技術方案

為了解決上述技術問題，本實用新型提供一種陣列基板，包括依次形成在基板上的柵極和電容電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、保護層和透明像素電極層，所述有源層包括半導體層以及形成在所述半導體層和源漏電極層之間的摻雜半導體層，漏電極下方的半導體層上開設有孔，漏電極下方的摻雜半導體層通過所述孔與所述柵絕緣層連接。

其中，所述孔與所述源漏電極層上的溝道區在豎直方向錯開。

其中，所述柵極的邊緣與所述半導體層的邊緣在豎直方向錯開。

其中，所述半導體層為非晶硅層，所述摻雜半導體層為輕摻雜的非晶硅層。

本實用新型還公開了一種顯示器件，其包括上述任一項所述的陣列基板。

（三）有益效果

上述技術方案所提供的陣列基板，通過在漏電極下方的有源層半導體層上開孔，使有源層的摻雜半導體層通過該孔與柵絕緣層連接，從而將漏電極下方的半導體層與溝道區對應的半導體層隔離，不僅可以減小空穴漏電流，還可以減小柵極與漏電極的重疊電容，進而降低顯示器的閃爍等不良，提高產品的良率；由于開孔的存在，半導體層與柵極在豎直方向上不完全重疊，還可以減小TFT的光電流，提高產品的良率。

附圖說明

圖1是現有技術中陣列基板的機構示意圖；

圖2-6是本實用新型實施例的陣列基板在制作過程中各階段的結構示意圖，其中圖6是本實用新型實施例的陣列基板制作完成后的結構示意圖。

其中，1：基板；2：柵極；3：電容電極；4：柵絕緣層；5：半導體層；6：摻雜半導體層；7：源電極；8：漏電極；9：溝道區；10：保護層；11：過孔；12：透明像素電極層。

具體實施方式

下面結合附圖和實施例，對本實用新型的具體實施方式作進一步詳細描述。以下實施例用于說明本實用新型，但不用來限制本實用新型的范圍。

實施例1

圖6是本實施例中陣列基板的結構示意圖，該陣列基板與現有技術中的陣列基板的結構相類似，包括依次形成在基板1上的柵極2和電容電極3、柵絕緣層4、有源層、源電極7、漏電極8、保護層10和透明像素電極12，有源層包括形成在柵絕緣層4上且位于柵極2上方的半導體層5以及分別形成在半導體層5和源電極7、漏電極8之間的摻雜半導體層6，其中與現有技術的區別之處在于，漏電極8下方的半導體層5上開設有孔，漏電極8下方的摻雜半導體層6通過所述孔與所述柵絕緣層4連接，實現柵極2與半導體層5之間的不完全重疊，以及通過所述孔的設置，將漏電極下方的半導體層與溝道區對應的半導體層隔離。

通過上述孔的設置半導體層5被分為兩個區域，半導體層5作為有源層，其間隔設置的兩個區域必然要實現電連接，采用摻雜半導體材料來連接所述兩個區域既能滿足以上要求，又能減小電容。優選地，半導體層5選用非晶硅材料形成，摻雜半導體層6選用輕摻雜的非晶硅材料形成，摻雜半導體層6作為連接半導體層5兩個區域的介質，能夠簡化本實施例陣列基板的制作工藝，減少制作工藝中掩膜版的使用數量，工藝簡單易操作，節省成本。