[實用新型]一種陣列基板及顯示器件有效
| 申請號： | 201220542058.5 | 申請日： | 2012-10-22 |
| 公開（公告）號： | CN202839613U | 公開（公告）日： | 2013-03-27 |
| 發明（設計）人： | 趙利軍;林允植 | 申請（專利權）人： | 京東方科技集團股份有限公司 |
| 主分類號： | H01L27/12 | 分類號： | H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京路浩知識產權代理有限公司 11002 | 代理人： | 韓國勝 |
| 地址： | 100015 *** | 國省代碼： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 陣列 顯示 器件 | ||
【權利要求書】：
1.一種陣列基板，包括依次形成在基板上的柵極和電容電極、柵絕緣層、有源層、源漏電極層、保護層和透明像素電極層，其特征在于，所述有源層包括半導體層以及形成在所述半導體層和源漏電極層之間的摻雜半導體層，漏電極下方的半導體層上開設有孔，漏電極下方的摻雜半導體層通過所述孔與所述柵絕緣層連接。
2.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述孔與所述源漏電極層上的溝道區在豎直方向錯開。
3.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述柵極的邊緣與所述半導體層的邊緣在豎直方向錯開。
4.如權利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述半導體層為非晶硅層，所述摻雜半導體層為輕摻雜的非晶硅層。
5.一種顯示器件，其特征在于，包括上述權利要求1-4中任一項所述的陣列基板。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的；包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的，或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的；包括有熱磁組件的
