[實用新型]用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201220540586.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN202898527U
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 陳五奎;雷曉全;任紅耀;王斌
• 申請（專利權(quán)）人: 陜西拓日新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 北京漢昊知識產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11370
• 代理人: 孟海娟

1.用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運行軌道（1）貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運行軌道（1）由一根以上平行的旋轉(zhuǎn)拖軸組成，鍍膜工作室對應(yīng)的鍍層工作運行軌道（1）上有鋁靶（2），鍍膜工作室外部有換氣管道（6），換氣管道（6）連接氬氣管（7），鍍膜工作室上方有高壓電極（3），還包含可將正離子驅(qū)動向鋁靶（2）的磁場發(fā)生裝置。

2.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架（4）。

3.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鋁靶（2）為矩形，其平行于鍍層工作運行軌道（1）的平面。

4.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨立的抽真空裝置。

5.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述鋁靶（2）鄰接有冷卻水管。

6.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設(shè)備，其特征在于，所述抽真空傳動裝備有一組以上。