[實用新型]用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設備

有效

• 申請號: 201220540586.7
• 申請日: 2012-10-19
• 公開（公告）號: CN202898527U
• 公開（公告）日: 2013-04-24
• 發明（設計）人: 陳五奎;雷曉全;任紅耀;王斌
• 申請（專利權）人: 陜西拓日新能源科技有限公司
• 主分類號: C23C14/35
• 分類號: C23C14/35;C23C14/16
• 代理公司: 北京漢昊知識產權代理事務所(普通合伙) 11370
• 代理人: 孟海娟

技術領域

本實用新型涉及太陽能領域，尤其涉及用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設備與方法。

背景技術

磁控濺射是為了在低氣壓下進行高速濺射，必須有效地提高氣體的離化率。通過在靶陰極表面引入磁場，利用磁場對帶電粒子的約束來提高等離子體密度以增加濺射率的方法。

實用新型內容

實用新型的目的：為了提供一種鍍膜效果好，冷卻效果好，抽真空效果好的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設備與方法。

為了達到如上目的，本實用新型采取如下技術方案：用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運行軌道貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運行軌道由一根以上平行的旋轉拖軸組成，鍍膜工作室對應的鍍層工作運行軌道上有鋁靶，鍍膜工作室外部有換氣管道，換氣管道連接氬氣管，鍍膜工作室上方有高壓電極，還包含可將正離子驅動向鋁靶的磁場發生裝置。

本實用新型進一步技術方案在于，所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架。

本實用新型進一步技術方案在于，所述鋁靶為矩形，其平行于鍍層工作運行軌道的平面。

本實用新型進一步技術方案在于，所述鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨立的抽真空裝置。

本實用新型進一步技術方案在于，所述鋁靶鄰接有冷卻水管。

本實用新型進一步技術方案在于，所述抽真空傳動裝備有一組以上。

利用如上任意所述裝備的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射的方法，其特征在于，包含如下步驟：

在無氧環境中將氬氣電離使其帶正電荷；

將氬正電荷在磁場中定向加速撞向鋁靶；

將待鍍的面板放在鍍層工作運行軌道上勻速運行通過鍍膜工作室。

采用如上技術方案的本實用新型，具有如下有益效果：鍍膜效果好，冷卻效果好，抽真空效果好。

附圖說明

為了進一步說明本實用新型，下面結合附圖進一步進行說明：

圖1為實用新型的整體結構示意圖；

圖2為實用新型的鍍膜工作室內斷面的結構示意圖；

其中：1.鍍層工作運行軌道；2.鋁靶；3.高壓電極；4.上料支架；5.真空室；6.換氣管道；7.氬氣管。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型的實施例進行說明，實施例不構成對本實用新型的限制：

為了達到如上目的，本實用新型采取如下技術方案：用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射設備，其特征在于，包含鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備，鍍層工作運行軌道1貫穿過抽真空傳動裝備和鍍膜工作室，鍍層工作運行軌道1由一根以上平行的旋轉拖軸組成，鍍膜工作室對應的鍍層工作運行軌道1上有鋁靶2，鍍膜工作室外部有換氣管道6，換氣管道6連接氬氣管7，鍍膜工作室上方有高壓電極3，還包含可將正離子驅動向鋁靶2的磁場發生裝置。

所述磁場發生裝置即制造磁場的磁鐵就在電極四周，本處為優選位置，但是不限于該位置。

所述位于其兩端的抽真空傳動裝備分別連接上料支架4。

待鍍膜的板子經過上料支架4然后經過抽真空的裝置后進入鍍膜工作室。

所述鋁靶2為矩形，其平行于鍍層工作運行軌道1的平面。

保證鋁靶2的形狀和保證沖擊的均勻性。

所述鍍膜工作室和位于其兩端的抽真空傳動裝備均連接獨立的抽真空裝置。

所述抽真空裝置由以下幾種部件：機械真空泵，目的是進行初步抽空；分子真空泵，目的是在初步抽空的基礎上進行抽高真空；維持泵，目的是維持高真空的狀態。

所述鋁靶2鄰接有冷卻水管。所述抽真空傳動裝備有一組以上。

利用如上任意所述裝備的用于非晶硅背面鋁膜沉積的磁控濺射的方法，其特征在于，包含如下步驟：

在無氧環境中將氬氣電離使其帶正電荷；

將氬正電荷在磁場中定向加速撞向鋁靶2；

將待鍍的面板放在鍍層工作運行軌道1上勻速運行通過鍍膜工作室。從而保證每個待鍍膜的板子的經過時間是一致的，進一步保證鍍膜的均勻性。

以上顯示和描述了本實用新型的基本原理、主要特征和本實用新型的優點。本領域的技術人員應該了解本實用新型不受上述實施例的限制，上述實施例和說明書中描述的只是說明本實用新型的原理，在不脫離本實用新型精神和范圍的前提下，本實用新型還會有各種變化和改進，這些變化和改進都落入要求保護的范圍內。